双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911027973.3
IPC分类号：H01L27/02;H01L27/11
申请日期：
2019-10-28
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法
申请号	CN201911027973.3	申请日期	2019-10-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-04	公开/公告号	CN110752210A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	周晓君
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	张彦敏

摘要

本发明涉及双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法，涉及半导体集成电路设计，通过将包括第二控制管的第二有源区布局在包括第一下拉管的第一有源区与包括第一上拉管的第三有源区之间，并布局第一接触孔，第一接触孔位于第二控制管的漏/源端和用于形成第一下拉管的栅极的多晶硅上，将包括第三控制管的第五有源区布局在包括第二下拉管的第六有源区与包括第二上拉管的第四有源区之间，并布局第四接触孔，第四接触孔位于第三控制管的漏/源端和用于形成第二下拉管的栅极的多晶硅上，如此增加了双端口SRAM单元的对称性，使得SRAM单元读操作的速度匹配，而提高了读写速度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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