非易失性半导体存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN02147327.7
IPC分类号：--
申请日期：
2002-10-18
申请人：
三洋电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储器
申请号	CN02147327.7	申请日期	2002-10-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-23	公开/公告号	CN1412853
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社	当前权利人	三洋电机株式会社
发明人	藤原英明
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	沈昭坤

摘要

本发明提供通过减少浮栅与控制的耦合比来增加扩散层与浮栅的耦合比，即使用低的扩散层电压也能够很容易进行高速写入的半导体存储器。该半导体存储器具有浮栅、与浮栅电容耦合并控制浮栅的电位用的第1扩散层、以及与浮栅相对配置的控制栅。而且，在进行删除动作时，从控制栅向浮栅流过隧道电流的方向是与半导体基板的主表面实质上平行的方向。这样，即使控制栅在浮栅的上方没有重叠区，也能够通过从浮栅拉出载流子而流过隧道电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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