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基于组合式刀具对陶瓷基板LED进行混合式切割的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410273755.9
IPC分类号：H01L21/304;H01L33/00
申请日期：
2014-06-19
申请人：
广州市鸿利光电股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于组合式刀具对陶瓷基板LED进行混合式切割的方法
申请号	CN201410273755.9	申请日期	2014-06-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-17	公开/公告号	CN104051253A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	广州市鸿利光电股份有限公司	申请人地址	广东省广州市花都区花东镇先科一路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿利智汇集团股份有限公司	当前权利人	鸿利智汇集团股份有限公司
发明人	何永泰;熊毅;李坤锥;乔翀;李恒彦;王跃飞
代理机构	广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司	代理人	刘各慧

摘要

本发明公开了一种基于组合式刀具对陶瓷基板LED进行混合式切割的方法，组合式刀具包括主轴、主轴法兰、二把以上的刀具、法兰垫片、垫片及锁紧装置，其中，刀具为金属基金刚石砂轮，所有刀具的直径相同。切割方法是利用同一刀具对胶层和陶瓷基板进行同时切割，且实现跳跃式跳刀的横向切割和逐步跳刀的纵向切割。本发明的方法能提高工作效率，提高切割质量。

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