基于吸波-散射复合机理的宽频带隐身表面及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202210842630.8
IPC分类号：H01Q17/00;H01Q15/00
申请日期：
2022-07-18
申请人：
苏州大学

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著录项信息

专利名称	基于吸波-散射复合机理的宽频带隐身表面及其制备方法
申请号	CN202210842630.8	申请日期	2022-07-18
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-18	公开/公告号	CN115207642A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q17/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q17/00 吸收天线辐射波的装置；这种装置与有源天线单元或系统的组合〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;7;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市吴中区石湖西路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	张颖;杨歆汨;侯嘉
代理机构	苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王广浩

摘要

本发明公开了一种基于吸波‑散射复合机理的宽频带隐身表面，包括底板；介质基板，介质基板与底板之间设置有空气层；电阻型频率选择表面，覆在介质基板上，电阻型频率选择表面包括周期性阵列排布的正方形电阻型频率选择单元，电阻型频率选择单元包括尺寸不同的第一吸波单元和第二吸波单元，第一吸波单元包括同心设置的第一大方环和第一小方环，第二吸波单元包括同心设置的第二大方环和第二小方环；第一吸波单元和第二吸波单元的相位相差180度以在目标频段上实现反相相消；第一大方环和第一小方环的尺寸相适配，第二大方环和第二小方环的尺寸相适配，以在目标频段上实现吸波。本发明具有加工简单、剖面低、可以准确共形的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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