具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02106850.X
IPC分类号：--
申请日期：
2002-03-06
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
申请号	CN02106850.X	申请日期	2002-03-06
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2002-10-16	公开/公告号	CN1374703
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	铃木史人;高桥仁;新井晴辉;山口好广
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

半导体器件具备第1导电类型的衬底、第2导电类型的第1和第2半导体区域互相分开形成于衬底主表面上、第1导电类型的第3半导体区域在上述第1半导体区域上形成、和形成于第1与第3半导体区域之间且杂质浓度高于第1半导体区域的第4半导体区域、形成于衬底主表面上的第1、第2主电极和栅绝缘膜、以及至少在衬底上和衬底与第3半导体区域之间的第1半导体区域上形成的栅电极。第1主电极与第1和第3半导体区域连接。第2主电极与第2半导体区域电连接。

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