首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

发明专利有效专利

申请号：
CN202011643389.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2020-12-31
申请人：
株式会社国际电气

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
申请号	CN202011643389.3	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113451110A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	株式会社国际电气	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社国际电气	当前权利人	株式会社国际电气
发明人	桥本良知;广濑义朗;中谷公彦
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	牛蔚然

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够改善在衬底上形成的膜的膜质。进行下述工序：(a)向处理容器内供给含氟气体的工序；(b)在维持处理容器内附着有氟的状态的同时，从处理容器内排出含氟气体的工序；和(c)向在附着有氟的状态的处理容器内收容的衬底供给成膜气体，在衬底上形成膜的工序。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供