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一种检测半导体照明灯具一次与二次散热特性优劣方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110071290.5
  • IPC分类号:G01M11/00;G01R31/26
  • 申请日期:
    2011-03-23
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种检测半导体照明灯具一次与二次散热特性优劣方法
申请号CN201110071290.5申请日期2011-03-23
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-10-26公开/公告号CN102226737A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01M11/00IPC分类号G;0;1;M;1;1;/;0;0;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所;阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司申请人地址
上海市玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所,阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司当前权利人中国科学院上海技术物理研究所,阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
发明人陆卫;程立文;何素明;张波;罗向东;俞立明;陈效双;王少伟;陈平平;李天信;李志锋
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线,由两段指数拟合该曲线来获得表征该发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的相关系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管一次散热性和二次散热性的好坏,对于寻找最优化的封装材料和封装结构,提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。

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