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一种防击穿的氮化镓基功率器件制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011329275.1
IPC分类号：H01L21/285;H01L29/45;H01L21/335
申请日期：
2020-11-24
申请人：
上海工程技术大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种防击穿的氮化镓基功率器件制备方法
申请号	CN202011329275.1	申请日期	2020-11-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-02	公开/公告号	CN112599412A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/285 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕 H01L21/283 用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积〔2〕 H01L21/285 气体或蒸气的沉积，例如冷凝〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人	上海工程技术大学	申请人地址	上海市松江区龙腾路333号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海工程技术大学	当前权利人	上海工程技术大学
发明人	郝惠莲
代理机构	上海唯智赢专利代理事务所（普通合伙）	代理人	姜晓艳

摘要

本发明属于半导体的技术领域，公开了一种防击穿的氮化镓基功率器件制备方法，在衬底上外延生长氮化镓基层，再沉积氧化铟锡ITO层，然后通过刻蚀工艺仅保留源电极和漏电极区域的氧化铟锡ITO层，最后，制备源电极、漏电极和栅电极。本发明的制备方法操作简单，成本低廉，效率高，适应性强，极具应用前景。

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