一种提高底发射有机电致发光器件出光率的方法及其结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201210262621.8
IPC分类号：H01L51/56;H01L51/52
申请日期：
2012-07-26
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种提高底发射有机电致发光器件出光率的方法及其结构
申请号	CN201210262621.8	申请日期	2012-07-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-11-28	公开/公告号	CN102800818A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	林劭阳;姚日晖;王丹;叶伟光;李冠明;卓少龙;谭荣辉
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	杨晓松

摘要

一种提高底发射有机电致发光器件出光率的方法，包括以下步骤：步骤1、对模板的表面进行粗糙化处理；步骤2、把制作散射膜的材料涂覆在经过所述粗糙化处理的模板的表面，所述材料OLED固化成散射膜后，将所述散射膜与模板分离开；步骤3、将散射膜贴在衬底的外表面。一种提高底发射有机电致发光器件出光率的结构，包括有金属阴极、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、ITO阳极、衬底和散射膜，所述散射膜包括粗糙面和光滑面，所述光滑面贴于衬底外表面。本发明涉及一种提高发光器件出光率的技术，具有散射膜更换方便，制作简单，易于标准化量产，出光率高等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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