一种用于AMOLED的ELVDD结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110537263.6
IPC分类号：H02M3/158;H02M1/14;H02M1/088
申请日期：
2021-05-18
申请人：
上海南芯半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于AMOLED的ELVDD结构
申请号	CN202110537263.6	申请日期	2021-05-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-15	公开/公告号	CN112968606A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/158 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/02 没有中间变换为交流的 H02M3/04 用静态变换器的 H02M3/10 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的（H02M 3/07优先）〔4〕 H02M3/145 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/155 仅用半导体器件的〔2〕 H02M3/156 带有自动控制输出电压或电流的，例如开关调节器〔4〕 H02M3/158 含有多个半导体器件作为单个负载的最终控制器件〔4〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;1;5;8;;;H;0;2;M;1;/;1;4;;;H;0;2;M;1;/;0;8;8查看分类表>
申请人	上海南芯半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区晨晖路1000号214室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海南芯半导体科技有限公司	当前权利人	上海南芯半导体科技有限公司
发明人	曹灿华
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	葛启函

摘要

本发明属于电源技术领域，具体的说是涉及一种用于AMOLED的ELVDD优化结构。本发明主要在传统结构的基础上，增加进入DownMode同步CLK电路和增加DownMode快速PWM控制结构。实现减小DC‑DC从BOOST模式切换到DownMode模式时所产生的纹波Ripple，明显优化了电流偏离负载电流的幅度，也即优化了输出电压Vout(ELVDD)的Ripple，从而很好的解决了手机可能出现闪屏的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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