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具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010381391.1
  • IPC分类号:B01J20/06;C01G39/06;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/30
  • 申请日期:
    2020-05-07
  • 申请人:
    武汉理工大学
著录项信息
专利名称具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用
申请号CN202010381391.1申请日期2020-05-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-08-18公开/公告号CN111545161A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B01J20/06IPC分类号B;0;1;J;2;0;/;0;6;;;C;0;1;G;3;9;/;0;6;;;C;0;2;F;1;/;2;8;;;B;0;1;J;2;0;/;3;0;;;C;0;2;F;1;0;1;/;3;0查看分类表>
申请人武汉理工大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉理工大学当前权利人武汉理工大学
发明人夏令;黄吴吉;王涵;杨浪;宋少先
代理机构武汉开元知识产权代理有限公司代理人刘琳;冯超
摘要
本发明公开了一种具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用;该方法将四水合钼酸铵和硫脲溶于水中,得到混合物;将混合物加入反应釜中,在温度为200~250℃下水热反应12~24h;得到黑色沉淀物;黑色沉淀物去离子水洗涤,真空干燥,最后在温度为300~350℃的空气条件下煅烧1.5~2.5h;得到具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料。本发明制备的具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料作为吸附剂,用于吸附亚甲基蓝,缺陷与氧掺杂存在协同作用,相比单一的缺陷、氧掺杂二硫化钼,吸附量大幅度提高,且吸附速率快。

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