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PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910095740.7
  • IPC分类号:H01L31/0272;H01L31/101;H01L31/18
  • 申请日期:
    2009-01-22
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法
申请号CN200910095740.7申请日期2009-01-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-07-08公开/公告号CN101478007
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0272IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;7;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区玉古路20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人吴惠桢;何展;魏晓东;斯剑霄;蔡春锋
代理机构杭州中成专利事务所有限公司代理人盛辉地
摘要
一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器,包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极,利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜,使用ZnS作为绝缘层保护光电导主体部分,在PbTe薄膜上利用射频磁控溅射技术镀Ti-Au薄膜做电极,ZnS绝缘保护层在2~10μm中红外波段具有良好的透射率,PbTe光电导中红外探测器对于2~5μm中红外波段的光具有较高的光电导灵敏度和响应度。

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