MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法
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MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法
发明专利无效专利- 申请号：CN201210563668.8
- 申请人：微机电科技香港有限公司
- 申请日：2012-12-21
- 主分类号：G02B6/26
- 公开（公告）日：2014-06-25
- 公开/公告号：CN103885122A
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摘要：本发明揭示了一种MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法，所述衰减器包括：MEMS阵列光阻挡驱动器芯片、输入光纤阵列、输出光纤阵列；所述输入光纤阵列、输出光纤阵列进行直接光学对准耦合，MEMS阵列光阻挡驱动器芯片中的MEMS光阻挡器阵列设置于输入光纤阵列、输出光纤阵列的间隙中，实现N路通道的光信号功率的独立控制，其中，N≥2。本发明提出的阵列电可调谐光衰减器，具有小体积、低单通道成本、良好一致性、衰减范围大、驱动电压低等优点。
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