摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，内部形成有金属杂质吸附结构，金属杂质吸附结构由通过对浅沟槽隔离中的内衬氧化层进行处理形成，对内衬氧化层的处理步骤包括：在内衬氧化层形成于浅沟槽的内侧表面之后，对内衬氧化层进行退火处理且通过退火处理在浅沟槽隔离的区域半导体衬底内形成氧沉淀，利用氧沉淀形成吸附金属杂质的应力场形成所述金属杂质吸附结构。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能对CMOS图像传感器中的金属杂质进行吸附聚集，从而能防止金属杂质对器件产生污染并降低白点数量，能降低工艺成本。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，在光电二极管的形成区域中的半导体衬底上形成有深孔，半导体衬底为P型掺杂。在深孔的内侧表面形成有第一P型外延层，在形成有第一P型外延层的深孔中填充有第二N型外延层。光电二极管的N型区由第二N型外延层组成，光电二极管的P型区由N型区底部的第一P型外延层和半导体衬底组成。深孔的根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展。第一P型外延层和光电二极管的N型区侧面接触以降低光电二极管的侧面暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深沟槽隔离结构；光电二极管的N型区由形成于半导体衬底表面上的N型外延层组成，P型区由N型区底部的半导体衬底组成；N型外延层的厚度根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展；深沟槽隔离结构由形成于N型外延层中的深沟槽中的第一本征外延层和内部形成有空气间隙的第二P型外延层叠加而成。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深孔隔离结构；深孔中形成有第一P型外延层和顶部表面降低的第二介质层，第二P型外延层填充深孔区域以及位于N型外延层之上；第二P型外延层中形成有P型离子注入区和N型离子注入区，光电二极管的N型区由N型外延层和顶部的N型离子注入区叠加而成，使N型区的深度由N型外延层和第二P型外延层的厚度确定。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深沟槽隔离结构；深沟槽穿过N型外延层、第一本征外延层和底部位于第一P型外延层中，深沟槽的内侧表面形成有第二本征外延层和第二P型外延层以及内部填充有被第一介质层和第二介质层包围的非晶硅层，顶部的第二介质层的顶部表面低于深沟槽的顶部表面，第三P型外延层填充深沟槽区域以及位于N型外延层之上；光电二极管的N型区由N型外延层和顶部形成于第三P型外延层中的N型离子注入区叠加而成。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深孔隔离结构；深孔中形成有第一P型外延层和顶部表面降低的第二可流动性介质层，第二P型外延层填充深孔区域以及位于N型外延层之上；第二P型外延层中形成有P型离子注入区和N型离子注入区，光电二极管的N型区由N型外延层和顶部的N型离子注入区叠加而成，使N型区的深度由N型外延层和第二P型外延层的厚度确定。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，像素区的像素单元的光电二极管之间隔离有深沟槽隔离结构；光电二极管的N型区由形成于半导体衬底表面上的N型外延层组成，P型区由N型区底部的半导体衬底组成；N型外延层的厚度根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展；深沟槽隔离结构由形成于N型外延层中的深沟槽中的第一P型外延层、第二介质层和第三多晶硅层叠加而成。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏时的耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展，同时能提高光电二极管之间的光学或电学隔离。

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上形成有场氧化物层；在所述半导体衬底上依次沉积形成有栅介电层和栅材料层；图案化所述栅材料层和所述栅介电质层以形成栅电极；向所述半导体衬底中注入杂质离子以形成光电二极管区域；在所述半导体衬底上形成层间介电层；所述层间介电层包括氮化物层，图案化所述层间介电层，以形成预定的开口，且在所述开口的两侧壁上沉积有所述氮化物层。本发明还提供了一种CMOS图像传感器。通过本发明，能够提高光电检测器的光收集效率，并且可以减少光电检测器的性能劣化。

摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，包括：在半导体衬底中形成隔离区，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管的扩散区，其中扩散区与所述隔离区间隔开地形成。通过在扩散区域之间的边界部分注入杂质，防止了钳位光电二极管PDD和隔离区域的损坏，并且减小了在CMOS图像传感器中的暗电流。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括感光区和逻辑区，感光区的各像素单元形成在第一有源区中，各像素单元包括感光二极管和多个MOS晶体管；逻辑区的MOS晶体管形成于对应的第二有源区中；在第一有源区的表面形成有SAB层，在各第二有源区的表面形成有第一自对准硅化物层；在穿过层间膜的接触孔的开口的底部表面和侧面依次形成有Ti层、第一TiN层和第二TiN层的叠加结构；Ti层和第一TiN层进行了RTP处理并在第一有源区的表面形成有TiSi，第二TiN将RTP处理后在第一TiN表面露出的Ti覆盖；在各接触孔的开口中填充有W层。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能在感光区的有源区表面不形成自对准硅化物的条件下，降低感光二极管的电流通路的电阻。

摘要：本公开涉及CMOS图像传感器及其制造方法。本公开提供了CMOS图像传感器，包括：逻辑晶圆，所述逻辑晶圆的第一表面内设置有至少一个第一浮空节点；以及像素晶圆，所述像素晶圆的第二表面内设置有至少一个第二浮空节点和至少一个光电二极管，其中，所述逻辑晶圆的第一表面与所述像素晶圆的第二表面通过中间层键合在一起，并且所述至少一个第一浮空节点中的各个第一浮空节点与所述至少一个第二浮空节点中的相应的第二浮空节点通过所述中间层串联连接。

摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，提供半导体基底，所述半导体基底包括多个像素区，在所述像素区中形成有光电二极管、传输晶体管、重置晶体管,相邻光电二极管之间设置有像素间隔离结构；对像素间隔离结构进行P型深阱离子注入，以形成像素间隔离势垒；对传输晶体管进行N型深阱离子注入，以形成传输晶体管势垒；对重置晶体管进行离子注入，以形成重置晶体管势垒的电势高于传输晶体管势垒的电势高于像素间隔离势垒的电势；所述像素区的光电二极管受到光照射后产生的光生电子从光电二极管经传输晶体管、浮置扩散区到重置晶体管，通过控制光生电子流出路径，降低光生电子溢出到相邻像素，降低相邻像素间的串扰。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，各像素单元之间隔离有深沟槽隔离结构，通过增加深沟槽隔离结构的沟槽深度来降低各像素单元之间的信号串扰；深沟槽隔离结构包括：沟槽、形成于沟槽的侧面和底部表面的ONO层以及将形成有ONO层完全填充的导电材料层；沟槽形成于半导体衬底中，在深沟槽隔离结构两侧形成有像素单元结构；导电材料层连接到第一电极，沟槽的内侧表面形成有悬挂键；通过在第一电极加正电压，将悬挂键产生的电子注入到第二氮化层的陷阱中，从而消除由悬挂键所产生的暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能减少暗电流。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括：底部结构，在底部结构上形成有多个滤光器；滤光器的种类包括红色滤光器、绿色滤光器和蓝色滤光器；在滤光器上形成有保护涂层；在保护涂层上设置有微透镜，在对应的滤光器的上方都设置有一个微透镜，红、绿和蓝光器顶部的微透镜分别为第一至三微透镜，第二微透镜的高度大于第一和三微透镜的高度，利用第二微透镜和第一微透镜以及第三微透镜的高度差并通过增加第二微透镜的高度增加绿光的传输通道，加强对绿光的利用并从而提高像素的信噪比。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能提高器件的信噪比，降低串扰效应。

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过形成一图案化的掩膜层于金属种子层上，所述图案化的掩膜层包括多个掩膜单元，所述掩膜单元与像素单元对应，相邻两个所述掩膜单元之间的间隙露出部分的所述金属种子层，在露出的所述金属种子层上电镀金属材料，以形成金属网格，通过电镀工艺能够形成高度很高的金属网格，在后续形成滤光片阵列时，滤光片单元的顶面能够不高于所述金属网格的顶面，通过所述金属网格的阻挡，由此被引导到一个滤光片单元中的光不会/基本不会泄漏到滤光片阵列中的不同的非预期颜色的滤光片单元中，从而能够解决/减缓像素单元之间的串扰问题。

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器，各像素单元对应的有源区由浅沟槽场氧隔离，在浅沟槽场氧的浅沟槽的侧面和底部表面形成有一P型离子注入层，P型离子注入层是在浅沟槽形成之后、氧化层填充前通过P型离子注入形成；浅沟槽场氧的氧化层采用HDP工艺填充，以减少P型离子注入层的结深。感光二极管由形成于有源区的P型半导体衬底表面的N型注入区和N型注入区底部的所述P型半导体衬底之间形成的PN结二极管组成；P型离子注入层在浅沟槽场氧的周侧防止N型注入区直接和浅沟槽场氧接触并通过P型离子注入层和N型注入区之间形成的PN结减少感光二极管的暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能减少暗电流。

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：提供形成有光电二极管及浮置扩散区的衬底结构；形成含负电荷薄膜，所述含负电荷薄膜覆盖所述光电二极管。在本发明的CMOS图像传感器的制造方法中，在光电二极管上覆盖含负电荷薄膜，含负电荷薄膜能够吸引光电二极管中的空穴，从而在光电二极管表面形成空穴累积层，由此光电二极管表面的缺陷便可由所述空穴累积层完全填满，进而便可降低整个光电二极管的暗电流问题。同时，在本发明的CMOS图像传感器的制造方法中还可节省一层隔绝箝位层的注入工艺，从而降低制造成本。

摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的CMOS图像传感器，通过在半导体衬底内部设置位于浅沟槽隔离的上方的串扰减小部件，可以减小光学串扰和电气串扰，提高CMOS图像传感器输出图像的质量。本发明的CMOS图像传感器的制造方法，用于制造上述CMOS图像传感器，制得的CMOS图像传感器也具有上述优点。本发明的电子装置，由于使用了上述的CMOS图像传感器，因此同样具有上述优点。

摘要：本申请涉及一种CMOS图像传感器包括，光电二极管，浮置扩散区，以及传输晶体管，所述传输晶体管的多晶硅栅极采用非均匀掺杂，使得从靠近所述浮置扩散区至靠近所述光电二极管的所述传输晶体管的沟道区内的电势呈阶梯状分布。

摘要：一种CMOS图像传感器，包括：半导体基底；设置在半导体基底内的感光单元、晶体管；介质层，设置在半导体基底和晶体管之栅极的表面，并进一步在介质层内形成与晶体管电连接的互连层；光学通路，设置在感光单元上方；平坦化层，设置在介质层表面；侧壁，间隔设置在平坦化层上；彩色滤光片，进一步包括间隔设置在侧壁之间的子像素区域；以及微透镜，对应设置在所述彩色滤光片之子像素区域上。本发明在彩色滤光片之子像素区域之间设置二氧化硅侧壁，便可通过二氧化硅侧壁将经过微透镜、彩色滤光片的光进行反射到达感光单元，增加感光单元的光接收量，改善CMOS图像传感器的光量子效应，降低模式噪音，更好的提高光学成像质量。