黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法专利查询检索|黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法专利申请-路标网

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黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法

发明专利无效专利

申请号：CN200910058228.5
申请人：四川大学
申请日：2009-01-22
主分类号：B28D5/00
公开（公告）日：2009-07-22
公开/公告号：CN101486231

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摘要：一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1)根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割，获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′-θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。

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