高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用
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高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用
发明专利有效专利- 申请号：CN202010813742.1
- 申请人：中国科学院上海有机化学研究所
- 申请日：2020-08-13
- 主分类号：C07F7/08
- 公开（公告）日：2020-11-10
- 公开/公告号：CN111909192A
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摘要：本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种硅氧烷单体，以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率，特别适合用于制备高频电路板。
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