高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
专利
专利类型：
专利有效性：
法律状态：
高级筛选：
路标网共为您找到相关结果1个
公开(公告)时间
申请时间
高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
发明专利无效专利- 申请号：CN200510073285.2
- 申请人：北京大学
- 申请日：2005-06-03
- 主分类号：H01L33/00
- 公开（公告）日：2006-12-06
- 公开/公告号：CN1874012
申请同类专利
摘要：本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。
著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献
- 1
没找到想要的结果？为您推荐专业专利顾问检索
高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利，更快更准确
免费
我想查:已帮助0位用户进行查询在售专利 早买早用
更多>*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供
- 热门业务
- 常用工具
- 规则与服务
- 商务合作
- 关于我们
- 服务热线路标网：023-88392937
快申报：023-88392959
工作日：9:00-12:00/13:30-18:00
商标进度查询
风险动态监测预警
北京聚集科技有限公司版权所有
Copyright @ CHATM ALL Right Reserve
免责声明：本网站部分内容由用户自行上传，如权利人发现存在误传其作品情形，请及时与本站联系删除：chatm@zbj.com
