摘要：描述了一种用于制作发光装置的方法，其中倒装芯片发光二极管（LED）管芯的阵列安装在基座晶片上。在每个LED管芯上同时模制半球形第一硅树脂层。包括浸泡在硅树脂中的磷光体粉末的预制柔性磷光体层层叠在第一硅树脂层上，从而适应于半球形第一硅树脂层的外表面。硅树脂透镜随后模制在磷光体层上。通过预制磷光体层，磷光体层可以制作到非常紧的容差并且被测试。通过模制半球形硅树脂层将磷光体层与LED管芯分开，颜色与视角关系是不变的，并且磷光体不由于热量而退化。柔性磷光体层可包括多个不同磷光体层并且可包括反射器或其它层。

摘要：发光二极管（LED）封装（300）包括LED管芯和在LED管芯之上的波长转换元件，该LED管芯包括半导体层的叠层，所述半导体层的叠层包括有源区。波长转换元件包括产生期望的角度颜色分布模式的两个或更多非平坦的表面。

摘要：半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。

摘要：根据本发明各实施例的设备包括波导（6），该波导典型地由第一节段的透明材料形成。光源（8）邻近波导的底表面布置。光源包括半导体发光二极管（12）和布置在半导体发光二极管和波导之间的第二节段的透明材料。该第二节段的透明材料的侧壁（18）是反射的。待照射表面邻近波导的顶表面布置。在一些实施例中，波导的边缘是弯曲的。

摘要：相对于具有凹口（42）阵列的模具（40）放置其上安装了具有磷光体层（30）的LED（10）的阵列的基座晶片（36）。在晶片与凹口之间分配硅树脂和重量为10%-50%的TiO2的混合物（44），从而产生模制的基本上反射的材料。该模制的混合物形成覆盖LED的侧壁的反射壁（46）。然后，固化反射材料，并且将基座晶片与模具分离，使得覆盖侧壁的反射材料包含从LED发射的光。切割基座晶片。然后，可以将物件（例如反射器（50）、支撑支架（76）等等）加接到基座（22），使得LED通过该物件中的中心孔（54）伸出。物件的内边缘容易形成，从而将它定位在LED顶面（32）之上或之下的任何高度。

摘要：一种用于LED的底部填充形成技术模制反射底部填充材料以在底座晶片上形成底部填充材料的反射层的同时封装安装在底座晶片上的LED管芯。然后诸如用固化来使底部填充材料硬化。使用微球喷吹去除LED管芯的顶部上的固化底部填充材料，同时在底座表面上留下反射层。然后从所有LED管芯去除暴露的生长基底，并且在暴露的LED表面上模制磷光体层。然后在LED上和反射层的一部分上模制透镜。然后使底座晶片单一化。反射层通过在没有任何附加处理步骤的情况下减少底座的光吸收来增加LED器件的效率。

摘要：一种器件包括半导体结构，其具有布置在n型区域和p型区域之间的至少一个III族磷化物发光层。该半导体结构还包括GaAsxP1‑x p接触层，其中x<0.45。第一金属接触直接接触GaAsxP1‑x p接触层。第二金属接触电连接到n型区域。第一和第二金属接触形成于半导体结构的同一侧上。

摘要：一种器件包括半导体结构，所述半导体结构包括布置在n型区域（22）与p型区域（26）之间的发光层（24）。所述半导体结构包括n接触区域（23）和p接触区域（25）。所述n接触区域（23）的横截面包括多个第一区域（28），其中移除了部分所述发光层（24）和p型区域（26）以暴露所述n型区域（22）。所述多个第一区域（28）由其中所述发光层（24）和p型区域（26）仍存在于所述器件中的多个第二区域（27）分隔。所述器件还包括在所述p接触区域（25）中的半导体结构上形成的第一金属接触部（40）以及在所述n接触区域（23）中的半导体结构上形成的第二金属接触部（38）。所述第二金属接触部（38）与所述n接触区域（23）中的第二区域（27）中的至少一个电接触。

摘要：一种器件包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的III氮化物发光层（26）和设置在n型区和p型区中的一个内的多个层对。每个层对包括InGaN层(20a,20b,20c)和与InGaN层直接接触的凹坑填充层(22a,22b,22c)。凹坑填充层可以填充在InGaN层中形成的凹坑。

摘要：形成一种半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层。第一金属接触形成于一部分的n型区域上并且第二金属接触形成于一部分的p型区域上。第一和第二金属接触形成于半导体结构的同一侧。电介质材料布置在第一和第二金属接触之间。电介质材料直接接触一部分的半导体结构、一部分的第一金属接触和一部分的第二金属接触。形成平坦表面，其包括第一金属接触的表面、第二金属接触的表面和电介质材料的表面。

摘要：本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。

摘要：本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。

摘要：一种发光器件，包括安装在基板（12）上的倒装芯片发光二极管（LED）管芯。基板的顶面具有反射层。在LED管芯之上模制半球第一透明层（36）。然后在第一透明层之上提供低折射率层（68）以提供磷光的TIR。然后在低折射率层之上提供半球磷光体层（70）。然后在磷光体层之上模制透镜（72）。与在高折射率磷光体层和底层低折射率层的界面处的TIR相组合，通过反射基板层实现的反射极大地改善了灯的效率。可以使用其他材料。低折射率层可以是气隙（46）或模制层（68）。除了低折射率层，可以在第一透明层之上溅射分布式布拉格反射器（76）。

摘要：通过形成包括第一导电类型层、发光层和第二导电类型层的LED层来制造发光二极管（LED）管芯。在LED层中形成至少部分地到达第一导电类型层中的沟槽。沿着管芯边缘在第一导电类型层的至少部分中或靠近所述部分形成电绝缘区域。将第一导电接合焊盘层形成为电接触第一导电类型层并在LED管芯之间的单一化锯道之上延伸。将第二导电接合焊盘层形成为电接触第二导电类型层并在LED管芯之间的单一化锯道和第一导电类型层的电绝缘部分之上延伸。将LED管芯安装到基座并沿着LED管芯之间的单一化锯道将LED管芯单一化。

摘要：描述了一种围绕LED管芯的基本上半球形的透镜，当观察者从不同角度观察透镜时该透镜产生闪耀。该透镜由100?10,000或更多小透镜的互连的阵列形成。每个小透镜将LED管芯的像聚焦在小透镜的输出处，使得在输出处LED管芯像的面积小于LED管芯面积的1/9，以在该透镜的外部表面处产生LED管芯的基本上点源像。当LED管芯被通电时，每个小透镜的形状导致观察者在不同观看角度感受到LED管芯的点源像，使得当观察者相对于透镜移动时，所发出的LED光呈现闪耀和斑点。

摘要：一种装置包括反射器和布置在反射器上的波长转换材料。背光源布置在反射器和诸如液晶显示器面板的待照射表面之间。背光源包括光源和波导。波导配置成将大多数来自光源的光引导朝向反射器。该光的至少一部分被波长转换材料转换，被反射器反射，并且入射在待照射表面。

摘要：发光二极管（LED）结构通过以下方式以晶片级被制造，将单一化的LED管芯安装在载体晶片或拉伸膜上、分离所述LED管芯以产生LED管芯之间的间隔、在LED管芯之上和LED管芯之间的间隔内施加反射涂层、分离或断开LED管芯之间的间隔内的反射涂层以使一些反射涂层留在LED管芯的侧面。LED管芯的侧面上的反射涂层的部分可以有助于控制边缘发射。

摘要：诸如半导体发光二极管64的光源60设置在透明部件50的第一开口54中，其作用为显示器中的波导。透明部件围绕光源。没有光源设置在透明部件的第二开口70中。在一些实施例中，第一开口成形为引导光至该透明部件中。在一些实施例中，反射器66设置在光源上。反射器包括平坦部分和成形部分68。成形部分从平坦部分向光源延伸。

摘要：诸如半导体发光二极管64的光源60设置在透明部件50的第一开口54中，其作用为显示器中的波导。透明部件围绕光源。没有光源设置在透明部件的第二开口70中。在一些实施例中，第一开口成形为引导光至该透明部件中。在一些实施例中，反射器66设置在光源上。反射器包括平坦部分和成形部分68。成形部分从平坦部分向光源延伸。

摘要：顺应性结合结构布置在半导体装置和底座（40）之间。在一些实施例中，该装置为发光装置。当半导体发光装置附连到底座时，例如通过提供超声能量到半导体发光装置，该顺应性结合结构瓦解从而部分地填充半导体发光装置和底座之间的空间。在一些实施例中，该顺应性结合结构为在结合期间经历塑性变形的多个金属凸点（32）。在一些实施例中，该顺应性结合结构为多孔金属层（46）。