非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路
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非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路
发明专利无效专利- 申请号：CN200610073509.4
- 申请人：株式会社东芝
- 申请日：2006-04-12
- 主分类号：G11C16/26
- 公开（公告）日：2006-10-18
- 公开/公告号：CN1848299
申请同类专利
摘要：提供一种非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路，其中，基准电流生成电路具有镜比不同的多个电流镜电路，根据流过上述基准存储单元的电流生成多个基准电流。多个检测放大器，根据由基准电流生成电路生成的基准电流检测流过所选择的存储单元的电流。
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