限流开关和限制流经功率MOSFET的电流的方法
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限流开关和限制流经功率MOSFET的电流的方法
发明专利无效专利- 申请号：CN01804807.2
- 申请人：先进模拟科技公司
- 申请日：2001-02-06
- 主分类号：暂无
- 公开（公告）日：2003-02-19
- 公开/公告号：CN1398454
申请同类专利
摘要：一种限流开关包括：并联连接的引导电路和功率MOSFET以及一个包括串联连接的多个并联电路的参考电路，每个并联电路包括与一电阻并联连接的电路镜像MOSFET。电流镜像补偿电路包括当流经功率MOSFET的电流增加时顺序短路所述并联电路的电路，从而限制了流经功率MOSFET的电流的大小。在优选实施例中，第二MOSFET被用于取代每个并联电路中的电阻。
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