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间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构及制作方法

发明专利无效专利

申请号：CN201410581877.4
申请人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日：2014-10-27
主分类号：H01L33/06
公开（公告）日：2015-01-28
公开/公告号：CN104319321A

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摘要：本发明揭示了一种间断式退火同温生长多量子阱LED外延结构的制作方法，包括如下步骤：准备一衬底，在氢气气氛下高温处理衬底；在处理好的衬底表面依次生长缓冲层、n‑GaN层；在n‑GaN层上周期性生长MQW有源层；在MQW有源层上依次生长p‑GaN及P型接触层；所述MQW有源层由至少两个多量子阱层组成，每个所述多量子阱层由InGaN量子阱层、GaN保护层及GaN量子垒层构成，且每个多量子阱中的各层均在同温下生长。本发明经过这中间的间隔退火处理，其晶面取向更为统一，晶格质量更高；得到高质量的量子阱结构层，发光效率提高10%以上，节省了大量原有在多量子阱层中升降温时间，产能提升明显；使低温GaN材料的表面平滑化，从而实现垒的均匀二维生长，得到高质量的多量子阱材料。

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