摘要：本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接框架以及封装结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元在朝向所述框架本体的一侧设置有凸台，所述跳线单元在背离所述框架本体的一侧设置有散热平面。本实用新型解决现有了技术中半导体器件在封装键合时采用引线键合散热性能差、导通电阻高、散热效果差和封装体积控制困难的问题，通过双面散热结构增大散热面积，通过框架与跳线单元的贴装焊接在缩减封装体积的同时有效降低导通损耗，使得电流承载能力得到巨大提高，有效增强散热效果。

摘要：本实用新型提供一种切脚工装，包括下模板，所述下模板上安装有用于对加工材料引脚进行切割的下切刀；上模板，与所述下模板相对设置，所述下模板上安装有用于与下切刀配合对加工材料引脚进行切割的上切刀；压紧组件，安装在所述上模板上，位于上模板和下模板之间，用于加工材料的引脚切割时压紧加工材料；当对加工材料的引脚进行切割时，加工材料放置在所述上切刀与所述下切刀之间。本方案中通过上模板和下模板之间的相对运动以实现加工材料引脚的切割。使用方便，所需成本低。

摘要：本实用新型提供一种定位导模，包括导模本体、顶出组件以及由弹性材料制作而成的弹性定位部件；所述导模本体和弹性定位部件之间围合组成定位腔，所述顶出组件设置在所述定位腔底，当检测材料放入至定位腔内后，所述顶出组件位于检测材料之下。本方案中的定位导模使用时，即使检测材料尺寸出现偏差，也能实现检测材料的精准定位，进而降低检测时的误判率。

摘要：本实用新型提供了一种贴片式光伏旁路模块的封装框架，所述封装框架包括多个呈阵列分布的框架单元，每个框架单元对应一个贴片式光伏旁路模块的封装，能同时实现多个贴片式光伏旁路模块的封装，有效提高了生产封装效率和原材料的利用率，降低了生产成本；利用第一精压沟槽和第二精压沟槽对第一框架上的载体区域进行划分，第一精压沟槽和第二精压沟槽能起到隔绝及引流作用，可有效防止后续各个分区焊接或者点胶时的互相影响，提高了光伏模块的封装可靠性和良率；且对应贴片式光伏旁路模块产品为半包封贴片式装配，框架载体的背面为主要散热部位，封装后的散热能力较强。

摘要：本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

摘要：本实用新型提供一种基于光伏模块的封装框架，包括：引线框架：引线框架上按阵列均匀分布有多个载体区域；每个载体区域封装一支光伏模块，载体区域包括用于焊接第一芯片的第一区域、用于焊接第二芯片与键合第一芯片的第二区域、用于焊接第三芯片与键合第二芯片的第三区域及用于键合第一芯片的第四区域；第一区域、第二区域与第三区域、第四区域不在同一平面，第一区域和第二区域之间设用于防止焊料流通的精压槽，第二区域与第三区域之间且在第二芯片的一侧和第三芯片的一侧各设一条精压槽。该封装框架通过阵列均匀分布载体区域封装光伏模块，有效提高了生产效率，同时，通过在载体区域上设有精压槽，提高了光伏模块的封装可靠性、良率和稳定性。

摘要：本发明提供一种二极管成型产品去胶道装置，用于解决现有技术中去胶道比较困难的问题。本发明提供一种二极管成型产品去胶道装置，包括：上压组，所述上压组包括上压板和多个立刀，所述立刀固定在所述上压板的下表面，各个所述立刀之间间隔设置；下压组，所述下压组包括下压板和多个凸台，所述凸台固定在所述下压板的上表面，所述凸台沿长度方向上设有能够供所述立刀通过的第一通槽，所述第一通槽的位置和所述立刀位置对应，所述第一通槽贯穿所述凸台的上表面和所述下压板的下表面；所述下压板被悬空支撑，所述下压板的一边和所述上压板的一边铰接。能够快速去除胶道。

摘要：本实用新型提供一种二极管成型产品去胶道装置，用于解决现有技术中去胶道比较困难的问题。本实用新型提供一种二极管成型产品去胶道装置，包括：上压组，所述上压组包括上压板和多个立刀，所述立刀固定在所述上压板的下表面，各个所述立刀之间间隔设置；下压组，所述下压组包括下压板和多个凸台，所述凸台固定在所述下压板的上表面，所述凸台沿长度方向上设有能够供所述立刀通过的第一通槽，所述第一通槽的位置和所述立刀位置对应，所述第一通槽贯穿所述凸台的上表面和所述下压板的下表面；所述下压板被悬空支撑，所述下压板的一边和所述上压板的一边铰接。能够快速去除胶道。

摘要：本实用新型提供一种功率器件站立度测量夹具，包括：凹形基座，凹形基座的一内侧嵌有至少一个定位凹槽，定位凹槽与待测器件形状相匹配用于容纳所述待测器件，其中，所述定位凹槽的下部为镂空用于显示所述待测器件的引脚；所述凹形基座的另一侧贯穿有与所述定位凹槽相匹配的定位机构，所述定位机构利用弹性形变调节其伸缩行程从而控制是否压紧所述待测器件。当将待测器件放入到定位凹槽时，使定位机构的弹性形变由压缩到恢复原状的伸长状态，夹紧待测器件方便后续直接测量其引脚站立高度，本装置结构简单，操作简便且成本低廉，能够防止样本在测量时发生倾斜导致测量不准，同时，可根据待测器件厚度随意调节定位的导柱，提高了其通用性。

摘要：本发明提出一种轴向引线电子元器件的电镀方法，包括电镀容器，用于盛放包含金属阳离子的电镀液；传送机构，用于传送待镀器件和引导待镀器件翻转；所述传送机构包括传送带和导向组件，所述导向组件用于引导待镀器件翻转及引导待镀器件浸入电镀容器的电镀液中；所述传送带上设置有用于浸入电镀液中进行电化学反应的电极；本发明极大地提高了生产效率，保证了电镀效果，消除了引线弯曲。

摘要：本发明提供了用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统和方法，该试验系统和试验方法中，将保险管设置在试验箱外，可以利用普通的保险管替换专用保险管，有利于降低试验成本，且减少了保险管占用的试验箱内的试验空间，从而有利于在试验箱内提供更多试验工位，提高批量试验效率。

摘要：本实用新型提供一种电子器件检测装置，包括：承载模块，所述承载模块包括用于承载电子器件的入料单元以及用于引导所述入料单元沿第一方向运动的第一驱动单元；运动模块，所述运动模块包括用于拾取电子器件的拾取单元、用于引导所述拾取单元沿第一方向运动的第二驱动单元以及用于引导所述拾取单元沿第二方向运动的第三驱动单元；检测模块，所述检测模块能够与所述电子器件电性连接，通过第一驱动单元收缩带动放置在入料单元上的电子器件靠近拾取单元，能够完成批量电子器件的逐次检测；通过拾取单元从承载模块上拾取电子器件至检测模块上，检测模块与电子器件电性连接，进而检测模块检测电子器件的电学性能判断其是否合格。

摘要：本实用新型提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。

摘要：本发明提供一种功率半导体器件，包括：衬底以及依次堆叠在所述衬底上的第一掺杂层、肖特基势垒层、金属层；所述第一掺杂层包括多个栅极，每个所述栅极的两侧均包括第二掺杂层，具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，使得台面的峰值电场值得以降低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；另一方面，所述功率半导体器件在承受大电流冲击的过程中，第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，与肖特基势垒层相比，第二掺杂层能够承受更大的正向电流密度，因此能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。

摘要：本实用新型提供一种换管装置，包括：换管机构，所述换管机构包括管槽、限位槽以及棘爪，所述管槽与料管的相匹配，所述棘爪设置在所述限位槽内，且所述棘爪与所述限位槽活动连接；用于提供线性运动的动力单元，所述动力单元与所述换管机构连接；用于装载多个所述料管的换管支架，所述换管支架设置在所述换管机构的上方；通过动力单元提供线性运动，并带动换管机构与料管配合完成换管流程，减少了装置零件，提高了装置的可靠性，且能够完成自动下料和自动换管，自动化程度较高。

摘要：本发明提供一种功率半导体器件制造方法，包括：提供衬底及第一掺杂层，在所述第一掺杂层表面进行掺杂并形成第二掺杂层；在所述第二掺杂层上进行刻蚀并形成器件沟槽；在所述器件沟槽内堆叠栅极；以及在所述第一掺杂层上堆叠肖特基势垒层以及金属层；在不改变掩模版或者光刻胶位置以及不改变制程过程中光刻次数的情况下进行第二掺杂层掺杂，并形成PN结，降低了工艺难度，提高良品率；具有第二掺杂层的功率半导体器件的峰值电场强度较低，因此能够抑制所述功率半导体器件的反向漏电流；而且第二掺杂层与第一掺杂层形成的PN结将导通，能够承受更大的电流浪涌冲击，提高所述功率半导体器件的性能、使用可靠性以及使用寿命。

摘要：本发明公开了一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置连接，液氮气化装置通过主氮气管与氮气储存装置连接，支液氮管的一端与主液氮管相通连接，支液氮管的另一端与液氮气化盘管的一端相通连接，液氮气化盘管的另一端与支氮气管的一端相通连接，支氮气管的另一端与主氮气管相通连接，液氮气化盘管置于密闭的低温试验箱内，低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔。本发明低温试验箱并联连接在液氮气化主干通路上，对半导体行业的液氮气化环节的能源进行充分利用，突破传统低温制冷模式的限制，能够实现试验件在更低温环境进行筛选和测试的目的，并降低了传统能源的消耗。

摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅‑硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率，提高形成的半导体器件抗辐射总剂量效应的性能。

摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括半导体层、体区、源区、载流子吸收区、栅极机构及及导体连接结构，所述导体连接结构分别与所述载流子吸收区和所述源区接触，使所述载流子吸收区与所述源区电连接。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明的功率半导体器件及其制造方法可提高功率半导体器件的抵抗单粒子烧毁效应(Single Event Burnout，SEB)及单粒子栅穿效应(Single Event Gate Rupture，SGER)的能力。

摘要：本实用新型公开了一种劈刀智能仓储设备，包括带编号的劈刀和水平设置的工作台，所述工作台上设置有存储柜，所述存储柜上均布有带有编号的存储仓位，所述存储柜上连接设置有三轴机械架，所述三轴机械架的末端设置有机械手，所述工作台上还设置有劈刀入库工装、周转管上料器和堵头上料器，所述劈刀入库工装、周转管上料器和堵头上料器均在所述三轴机械架的运行范围内，所述存储柜上设置有视觉识别系统，所述周转管上料器用于输送周转管，所述周转管上设置有识别芯片，所述存储仓位、视觉识别系统、三轴机械架和识别芯片均与控制系统连接。本实用新型具有自动存取、编号识别、自动化程度高的优点。