摘要：本实用新型公开了一种用于影像测量仪的定位装置，包括设于外部测量平台上的用于支撑并放置待测硅部件的支撑放置平台、分别设于所述支撑放置平台上的第一定位板和第二定位板、形成于所述第一定位板与所述第二定位板之间的用于在待测硅部件放置于所述支撑放置平台上时对待测硅部件进行定位的定位区。

摘要：本实用新型提供一种加工中心对硅部件进行加工，加工中心加工过程中硅部件被固定，保证其静止不动，减少加工过程中硅部件移动造成加工受影响，不会留下刀痕，容易进行抛光，对硅部件进行固定不易导致崩边、刀痕等问题，不会导致粘胶脱胶等待降温时间长，不影响生产效率的硅部件加工定位吸附装置，包括上表面平整的平放台、可拆卸设置于所述平放台上表面用于平放硅部件的平放层、开设于所述平放层上位于硅部件下端面用于定位硅部件的若干个定位孔、设置于所述平放台上与若干个所述定位孔连通用于将硅部件吸附于所述平放层上的吸附组件。

摘要：本实用新型公开的是一种具有七孔的LED外延片托盘，包括托盘本体，该托盘本体的顶面开设有六个圆形外围放置槽及一圆形中间放置槽，所述六个圆形外围放置槽和圆形中间放置槽的直径均相等，所述六个圆形外围放置槽沿着圆周方向均布于圆形中间放置槽的外围，所述托盘本体的顶面形成有六个类三角形的第一凸部和六个类三角形的第二凸部，每个第一凸部对应一个第二凸部，所述第一凸部的大小大于第二凸部的大小，所述六个第一凸部位于六个第二凸部的外围，所述六个第一凸部的一角均朝向同一圆心，且该六个第一凸部的一角均与一圆周外切，所述六个第二凸部的内侧边均与圆形中间放置槽外切，且六个第二凸部沿着圆周方向均布于圆形中间放置槽的外侧。

摘要：一种LED外延片托盘，包括托盘本体，该托盘本体的顶面设有七个孔径相当的放置槽，其中一个为中间放置槽，另外六个为外围放置槽，所述中间放置槽位于六个外围放置槽围成的空间内，且中间放置槽与六个外围放置槽均紧挨地设置，每相邻的两外围放置槽也紧挨地设置，每个外围放置槽靠近托盘本体外周的部分设有开口，该开口的两端均通过圆弧部与托盘本体的外周连接，所述中间放置槽的一端为竖直的切面，每个外围放置槽的外周和中间放置槽的外周均设有向外延伸的取片槽，该取片槽与对应的放置槽连通。所述六个外围槽和中间放置槽的形状设置，使得在不改变LED外延片尺寸的情况下，每次生产过程中LED外延片的生产量可达到七片，提高了LED外延片的生产效率。

摘要：本实用新型公开的的是一种半导体化学清洗设备，包括柜体，该柜体分隔为上柜室和下柜室，所述上柜室的底面设有左、右收集槽，所述左收集槽内设有浸泡槽，该浸泡槽的大小小于左收集槽的大小，所述右收集槽内设有清洗槽，该清洗槽的大小小于右收集槽的大小，所述浸泡槽的内侧面环设有从下往上依次叠加的冷却水管，该冷却水管的进水端和出水端均伸出上柜室外，所述左收集槽的底面设有第一出液口，所述下柜室内设有与第一出液口连通的第一出液管，该第一出液管的出液口的正下方设有回收桶，所述右收集槽的一侧面底部设有第二出液口，该第二出液口与一回收管连通，所述清洗槽的上方设有进水管，所述上柜室的顶面设有与其内部连通的吸酸器。

摘要：一种硅电极环的台阶抛光设备，包括支架、设于支架顶面的支撑台以及设于支撑台上方的转动台，所述支撑台的顶面设有油缸，该油缸的活塞杆朝上，该活塞杆的顶面与一箱体的底面连接，所述箱体的前端设有转动轴，该转动轴的顶端位于箱体内，该转动轴的底端伸出箱体外，所述箱体的后端设有第一电机，该第一电机与转动轴传动连接，所述支撑台的后端设有第二电机，该第二电机与转动台传动连接，所述转动台的顶面与硅电极环相适配，该转动台的顶面设有可拆卸的压环，所述转动轴的底端设有磨头，该磨头的底面设有一台阶，该台阶上设有抛光带，所述油缸、第一电机及第二电机均受控于一控制系统。本设备采用自动抛光的方式，提高了硅电极环的抛光效率及精度。

摘要：一种新型的LED外延片托盘，包括托盘本体，该托盘本体的顶面开设有六个孔径相当的圆形外围放置槽以及一个中间放置槽，该中间放置槽的孔径小于圆形外围放置槽的孔径，所述六个圆形外围放置槽沿着圆周方向分布于中间放置槽的外围，每个圆形外围放置槽的外周上设有间隔布置的三个切口，该三个切口其中一个为外沿切口，其余两个切口为连通切口，所述外沿切口靠近托盘本体的外周，相邻的两连通切口互相连通，所述圆形外围放置槽的外周设有与其连通的取片槽，该取片槽靠近托盘本体的中心处。所述圆形外围放置槽的形状设置使得在不改变原来LED外延片的情况下，托盘本体的顶面可以设置六个圆形外围放置槽，这样每次生产过程中LED外延片的生产量可达到六片。

摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有：基板(1)；设置于基板(1)上的布线(6)；设置于布线(6)上的氮化钛膜(7)；设置于氮化钛膜(7)上的氧化膜(3)；和设置于氧化膜(3)上的氮化硅膜(4)，在形成于氮化硅膜(4)的第1开口部(91)和形成于氮化钛膜(7)的第2开口部(92)在俯视时重叠的位置、并且是形成于氧化膜(3)的第3开口部(93)的俯视内侧的位置上，形成有布线(6)露出而成的焊盘部(8)，由此制成在配置于第3开口部(93)的俯视内侧的氮化钛膜(7)上相接地形成有氮化硅膜(4)的半导体装置(10)，即便在包含氮化钛的防反射膜上设有氧化硅膜，形成防反射膜的氮化钛也难以发生腐蚀，制造中的工时也少。

摘要：半导体装置(100)具有：泄漏电阻电路元件(102)，其由多个多晶硅电阻体单元(10)构成；第一金属膜(103)，其以分别单独覆盖多个多晶硅电阻体单元(10)的方式被分割成多个；一体的第二金属膜(104)，其覆盖泄漏电阻电路元件(102)整体；以及氮化硅膜(105)，其形成于第二金属膜(104)上，多个第一金属膜(103)分别由覆盖多晶硅电阻体单元(10)中的电极部(10A)的部分和覆盖电极部(10A)以外的部分构成，覆盖电极部(10A)以外的第一金属膜(103)与各自覆盖的多晶硅电阻体单元(10)电连接。能够防止氢进入到泄漏电阻电路整体，抑制构成泄漏电阻电路的每个电阻体单元的电阻值调制偏差。

摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(10)具有：布线层(5)，其包含设置于基板(1)上的包含铝或铝合金的布线膜(6)和设置于布线膜(6)上的氮化钛膜(7)；保护层(9)，其覆盖布线层(5)的上表面(5a)和侧面(5b)；和焊盘部(8)，其是贯通保护层(9)和氮化钛膜(7)且布线膜(6)露出而成的，保护层(9)是从布线层(5)侧依次层叠第1氮化硅膜(41)、氧化膜(3)和第2氮化硅膜(42)而成的。不易产生包含氮化钛的防反射膜的腐蚀，能够利用一次光刻工序对焊盘部进行开口。

摘要：半导体装置(100)是在基板(101)上具有多层布线结构(102)的半导体装置，多层布线结构(102)具备：最上层布线(103)；熔丝元件(104)，其位于最上层布线(103)的下层侧并包含具有高于所述最上层布线(103)的熔点的金属；下层布线(105)，其分别连接于熔丝元件(104)的两端。提供一种半导体装置，其以高密度配置有包含高熔点金属的熔丝元件。

摘要：本发明提供半导体装置，半导体装置(100)具有：基板(101)；层叠体(103)，其设置在基板的一个主面(101a)侧且包含铝合金布线(102)和包围该铝合金布线(102)绝缘膜(107)；和覆盖层叠体(103)的氮化硅膜(104)，在上述氮化硅膜和上述绝缘膜上，在与上述铝合金布线(102)的焊接部分重叠的位置设置有开口部(105)，在铝合金布线的表面中的从开口部(105)露出的部分附着包含含有硅和氮的反溅射残渣的堆积物而形成有覆膜(106)。该半导体装置能够防止铝合金布线中的作为焊盘露出的部分由于水分而发生腐蚀(电化腐蚀)。

摘要：面积较小的一次性可编程半导体存储装置，利用CMOS工艺中能够寄生的PNPN，使两端以外的N、或两端以外的P处于浮动状态，从而使得流过PNPN电流、并将利用该电流的电阻的热破坏用作为存储元件。

摘要：提供能够充分地确保半导体芯片的有效区域，并且防止破片的半导体芯片、半导体晶圆、半导体装置及半导体晶圆的切割方法。成为半导体芯片的半导体芯片区域具有矩形形状，并且具备仅在位于任意一边的两端的二个角部没有配置电路元件的非有效区域，在半导体晶圆中，多个半导体芯片区域以使各自的非有效区域均正对第二切割工序的切割刀的前进方向的方式排列。

摘要：一种半导体装置的制造方法，其使用了冲压加工，即使增厚引线框，也能够确保与以往同等尺寸的岛状区，通过冲压加工利用具有所需最低限的板厚以上的宽度的冲头对岛状区与内部引线之间进行冲裁加工，然后从岛状区背面进行将岛状区的周围压扁的加工。通过使岛状区与内部引线之间的间隙小于引线框的厚度，并同时使成为岛状区的周围的引线框的厚度薄于原引线框的厚度，从而得到所需的岛状区的面积。

摘要：提供能够使用低耐压的FET的充放电控制电路及具备它的电池装置。充放电控制电路是用于控制二次电池的充放电的充放电控制电路，具备：正极电源端子及负极电源端子，用于监视二次电池的电压；充电控制端子，一端与充电控制FET的栅极连接，该充电控制FET和连接有负载及充电器的负极的外部负极端子连接；以及钳位电路，以外部负极端子的电压为基准电压，将向充电控制端子输出的使充电控制FET导通的高电平的信号钳位到比该基准电压高既定电压的量的电压。

摘要：涉及对于噪声等的外部输入难以误接通测试模式的传感器电路，传感器电路具备：时钟产生电路，对物理量检测部输出用于控制间歇动作的控制信号，在停止期间输出采样信号；电位检测电路，检测输出端子的电位并输出检测信号；以及时钟控制电路，在基于采样信号对检测信号进行采样的数据检测到既定信号图案时输出将时钟产生电路切换到测试模式的模式切换信号。

摘要：即便为电流驱动能力低的检查装置也能够测试的、在兼用为测试端子的输出端子具备电流驱动能力高的输出驱动器的半导体装置，具备：阈值分别不同的多个电压判定电路，输入端子与半导体装置的输出端子连接；编码电路，与多个电压判定电路连接并输出编码信号；以及模式切换电路，响应编码信号和内部电路的信号而向内部电路输出模式信号。

摘要：在CMP研磨装置的研磨头中，在研磨垫上的晶圆和按压晶圆的气囊之间，配置由金属或陶瓷形成的应力分散板，在应力分散板和下方的晶圆之间设置冲击吸收片，以使因压缩空气引起的，从气囊施加于晶圆的压力均匀化。

摘要：本发明提供一种半导体装置，在面积相对较大的布线或焊盘(1)与和它们相连接的第2布线(2)之间的接合部位(6)附近设置有缝隙(3)。由此，能够分散由于光刻工艺中的烘烤处理和UV固化等产生的抗蚀剂的拉伸应力，从而能够缓和第2布线端的抗蚀剂的收缩、变形，能够使通过蚀刻而形成的布线的尺寸和形状稳定。