磁弹性非晶丝材料及其磁弹性位移传感器

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磁弹性非晶丝材料及其磁弹性位移传感器

发明专利无效专利
  • 申请号:CN200610167402.6
  • 申请人:北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所
  • 申请日:2006-12-15
  • 主分类号:暂无
  • 公开(公告)日:2008-06-18
  • 公开/公告号:CN101200792
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摘要:一种磁弹性非晶合金材料及其制备方法,它由FexReyBz组成,其中Re是La、Sm、Tb、Dy、Y的一种或两种以上。制备方法是将FexReyBz按原子百分比混合熔炼成母合金,在自研喷丝设备上制作非晶丝,通过拉拔使丝增加内应力,提高丝的磁弹性能。具备10-3纵向大磁致伸缩系数,并且,由于急冷速凝的制备方法,造成丝表面到丝芯部异常大的内应力梯度,具备大的内应力各向异性能,产生部分磁弹性能;丝的几十nm~几百nm厚的表面结晶层与非晶基体产生磁晶各向异性能,增强了丝的磁弹性能。这种材料具有纵向大磁致伸缩系数,利用其研制的位移传感器及测量仪器,与现有的进口超磁致伸缩位移传感器相比,具有探测深度大、精度高、抗振动能力强的优点。

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