用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路

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用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201711144435.3
  • 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 申请日:2017-11-17
  • 主分类号:H03K17/16
  • 公开(公告)日:2018-04-20
  • 公开/公告号:CN107947774A
委托购买

摘要:本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路,其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块,且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连,其特征在于,该噪声抑制电路包括:电压检测电路,其输入端接所述IGBT的栅极;下拉电路,其输入端接所述电压检测电路的输出端;RS触发器,其R端接所述下拉电路的第一输出端,S端接所述下拉电路的第二输出端,Q端接所述输出驱动模块的输入端。本发明利用dv/dt噪声和IGBT栅极电压之间存在的特定关系,通过检测IGBT栅极电压的变化区间实现对dv/dt噪声的滤除。

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