用于改进响应的具有离轴基准层取向的磁存储器单元
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用于改进响应的具有离轴基准层取向的磁存储器单元
发明专利无效专利- 申请号：CN99118321.5
- 申请人：惠普公司
- 申请日：1999-08-27
- 主分类号：暂无
- 公开（公告）日：2000-03-08
- 公开/公告号：CN1246708
申请同类专利
摘要：一种磁存储器单元,包括具有易轴的数据存储层和具有固定于相对易轴的离轴方向的磁化取向的基准层。尽管有在数据存储层的边缘区域的磁化效应,但是这种结构在磁存储器单元的读取操作中增强了信号可获性。此外,采用这种结构,就可以通过使用方形存储器单元结构获得高磁随机存取存储器密度。
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