摘要：提供了一种用于制造具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法通过急剧增加p型半导体层中的Mg浓度来实现。该制造方法包括以下步骤：形成n型接触层；形成n侧高静电击穿电压层；形成n侧超晶格层；形成发光层；形成p型覆层；形成p型中间层；以及形成p型接触层。形成p型覆层的步骤包括：在第一时间段TA1期间供应掺杂剂气体而不供应含有第III族元素的第一原料气体(TMG)；以及在第一时间段TA1之后的第二时间段TA2期间供应第一原料气体(TMG)和掺杂剂气体以生长半导体层。

摘要：本发明提供一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其抑制了极性反转缺陷密度的增加。该制造方法包括n型半导体层形成步骤、发光层形成步骤和p型半导体层形成步骤。p型半导体层形成步骤包括p型覆层形成步骤。p型覆层形成步骤包括第一p型半导体形成层步骤以用于形成p型AlGaN层，在第一p型半导体形成层步骤之后的第一半导体层生长中止步骤，以及在第一半导体层生长中止步骤之后的p型InGaN层形成步骤。在所述第一半导体层生长中止步骤中，将氮气和氢气的混合物供给至衬底。

摘要：本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。

摘要：本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。

摘要：本发明是一种用于制造一种发光器件的方法，该发光器件的发射性能通过根据发射波长优化发光层的势垒层的Al组成比来改善。通过交替堆叠InGaN阱层和AlGaN势垒层来形成多量子阱(MQW)结构发光层。每个阱层和每个势垒层形成为满足以下关系：12.9≤-2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，或者满足以下关系：162.9≤7.1x+10z≤216.1和3.1≤z≤9.2，在此，x表示势垒层的Al组成比(摩尔％)，并且y表示势垒层与阱层之间的带隙能之差(eV)，并且z表示阱层的In组成比(摩尔％)。

摘要：通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜和反射膜来制造样品(A)。通过在蓝宝石衬底上依次形成SiO2的第一绝缘膜、反射膜以及SiO2的第二绝缘膜来制造样品(B)。在两个样品(A)和样品(B)中，在热处理之前和热处理之后，在450nm的波长下测量反射膜的反射率。在600℃下进行三分钟的热处理。如图1所示，在Al具有1？至30？厚度的Al/Ag/Al中、在Al具有20？厚度的Ag/Al中以及在Al具有20？厚度的Al/Ag/Al/Ag/Al中，反射率是95％或更大，其等于或高于Ag的反射率，甚至在热处理之后也是如此。