用于光电子器件的III族氮化物异质结构
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用于光电子器件的III族氮化物异质结构
发明专利有效专利- 申请号：CN201480052198.6
- 申请人：传感器电子技术股份有限公司
- 申请日：2014-09-23
- 主分类号：H01L33/32
- 公开（公告）日：2016-05-11
- 公开/公告号：CN105580146A
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摘要：描述了用于光电子器件中的异质结构。异质结构的一个或多个参数可以被配置用于提高相应的光电子器件的可靠性。可以在配置异质结构的n型和/或p型侧的各种参数时考虑用来产生器件的有源结构的材料。
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