摘要：本实用新型公开了一种发光组件，包括一透明基板与若干个发光二极管芯片。透明基板具有一承载面与一第二主表面彼此相对设置。至少部分的发光二极管芯片设置于承载面上并与未设置发光二极管芯片的部分承载面形成可发光的一第一主表面。各发光二极管芯片包括一第一电极与一第二电极。至少一个发光二极管芯片的发光方向包括经过透明基板并从第二主表面出光。一种发光装置，包括发光组件以及一承载座，发光组件设置于承载座上，并与承载座间有一第一夹角。

摘要：本发明公开了一种多波长发光二极管芯片，通过其具有纳米等级的光致发光材料所组成的量子点层，使整体发光二极管芯片除了发光层之外，还能产生其余波长的光；通过调控量子点层中纳米晶体的颗粒大小，凭借着多波长光的优势，本发明在发光二极管芯片出光颜色的表现上将更具灵活性。

摘要：本发明提供一种发光二极管的具有介电材料层的半导体层及其制作方法，用以提升外部量子效率，其至少包含有一半导体层，该半导体层内部包含有一具有多个间隔区的粗化层，每一间隔区中具有至少一介电材料层，该至少一介电材料层呈倒金字塔型，该至少一介电材料层的部分须露出于该粗化层之外，透过利用该介电材料层作为光的散射界面，使得自发光层放射的光子能藉由介电材料层的散射效应及间隔区呈斜切的内侧面以帮助提升光子射出于发光二极管之外的机率，如此可降低全反射发生的机率，藉以达成提升外部量子效率的目的。

摘要：一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法，其是用以提升外部量子效率，半导体层之内包含有粗化面及两层散射层，两层散射层是以堆栈方式而形成于粗化面之上，两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面，且两层散射层所使用材料的折射系数为相异于彼此，利用散射层作为光的散射接口，使得自发光层放射的光子能藉由散射层的散射效应而转向，藉以提升光子逃逸出发光二极管之外的几率，如此可降低全反射发生的几率，藉以达成提升外部量子效率的目的。

摘要：本发明涉及一种发光装置的制造方法，其先提供一基板，再接续形成一发光单元于该基板上，之后形成至少一电极，然后形成至少一保护层于该电极上，以避免后续形成一荧光粉层于该发光单元时，造成荧光粉层覆盖于该电极上，在形成该荧光粉层之后，平整该荧光粉层与该保护层，也就是移除位于该保护层上的部分该荧光粉层，然后移除该保护层，以让该电极避免受到荧光粉层的影响，进而提高电极的导电性，更改善发光装置的荧光粉厚度与均匀性问题，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。

摘要：本发明涉及一种交流式发光元件，其公开了使用一光补偿层于一交流式发光二极管的出光面，该光补偿层的材料可为磷光或荧光材料，其发光机制主要为电洞电子对于三重态发光的机制，以吸收该交流式发光二极管的光线，以进行补偿于该交流式发光二极管于电源的每周期下的正半周期变为负半周期时所造成的闪烁，使该交流式发光二极管可以进行全时发光。

摘要：本发明是有关于一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管是包含一发光二极管、至少一金属衬垫及一荧光层。本发明的主要特征在于，使金属衬垫暴露，以方便日后进行打线及封装制程。另一特征为本发明所提供的发光二极管即为单一混光晶粒，直接进行封装即可，不须于封装胶上涂布荧光粉，如此荧光层与封装胶不为同时进行，而且为不同材料，如此有效减少被封装的发光二极管内所产生的应力问题。

摘要：本发明公开了一种发光二极管电路整合于散热基板的结构，包括：一发光二极管晶片；一散热基板，其与所述发光二极管晶片相互连接，所述散热基板至少包含一电子元件；所述散热基板之上依序设有一绝缘层、一电路层，所述电路层与所述发光二极管晶片以及所述电子元件做电性连接。本发明可以减少二极管晶片的导线打线面积，并减小导线串连电阻，增加其散热性。

摘要：本发明是有关于一种具抗突波与静电保护的覆晶式发光二极体封装结构及制造方法，其是一覆晶式发光二极体的封装结构包含有一载体、一发光二极体晶片、一抗突波保护层、一第一导电元件与一第二导电元件。于制造方法的步骤上，先形成一层抗突波保护层于载体上，接着形成第一导电元件与第二导电元件，再使发光二极体晶片接合第一导电元件与第二导电元件，最后形成覆晶式发光二极体封装结构。当抗突波保护层是依据偏压电压超过门槛电压时，将使突波电流经抗突波保护层即形成一电流路径，以促使突波电流通过抗突波保护层，用于更有效避免突波或静电破坏发光二极体晶片。

摘要：本发明是有关于一种具有抗突波与静电的二极体结构及制程方法，其是一二极体结构包含有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一发光层、一透明导电层、一正电极、一负电极与一静电保护层。其中正电极经透明导电层、P型半导体层、发光层与N型半导体层至负电极是形成一第一路径供一电压通过，且利用静电保护层的电性，以促使负电极经静电保护层至正电极形成一第二路径供一电流通过，若偏压电压超过二极体的操作电压，将使突波电流经静电保护层从负电极传导至正电极或从正电极经由静电保护层传导至负电极，使二极体结构不受突波与静电影响，以提供二极体具有更好的抗突波与静电效能。

摘要：一种发光二极管结构，其包括：基板、第一型掺杂半导体层、绝缘层、多个发光层、第二型掺杂半导体层、第一接垫以及第二接垫。第一型掺杂半导体层位于基板上，具有多个开孔的绝缘层位于第一型掺杂半导体层上，以暴露出部分的第一型掺杂半导体层，多个发光层分别设置于绝缘层中所对应的开孔内，第二型掺杂半导体层位于绝缘层及发光层上，第一接垫位于第一型掺杂半导体层上，且与第一型掺杂半导体层电连接，第二接垫位于第二型掺杂半导体层上，且与第二型掺杂半导体层电连接。此外，本发明也可通过空气间隙使各发光层相互独立。

摘要：本创作是有关于一种高发光率的覆晶式发光二极体，本创作主要是于P型半导体层上方设置一透明导电层、一氧化层、一金属反射层、一导电层以及一扩散保护层，藉此，反射一发光层向该P型半导体层发出的光射，使反射的光线可穿透透明基板而向外发出，以解决覆晶式发光二极体光线被遮蔽的问题，并可有效提升其发光效率，此外，本创作是利用覆晶技术将发光二极体晶片反转设置于一导热基板上，因此，可提升发光二极体的散热率。

摘要：本创作是有关于一种发光二极体电路整合于散热基板的结构，其是揭示利用一散热基板整合至少一电子元件与一发光二极体晶片于其上，该电子元件可为被动元件、驱动晶片、静电保护元件、感测设计元件，减少发光二极体晶片的导线打线面积，并减小导线串连电阻，且增加其散热性。

摘要：本发明是提供一种具有多方向性光散射的发光二极体的结构及其制造方法，其是揭示将一金属氧化物设置于一第二半导体层的上方，且该金属氧化物是为不规则设置，并利用蚀刻将金属氧化物去除并将部份第二半导体层或部份发光层或部份第一半导体层与以去除，以成为一散射层，在该第二半导体层的上方设置一透明导电层，再于该透明导电层的上方设置一第二电极，且于该散射曾设置一第一电极，藉此以将发光二极体的出光效应变成多方向性的散射。

摘要：一种发光二极管封装结构，包括发光二极管与承载器。发光二极管包括基板、半导体层、第一电极与第二电极，其中半导体层则位于基板的表面上，且具有粗糙表面。此外，半导体层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层与位于两者间的发光层。第一/第二电极位于第一/第二型掺杂半导体层上方，且电连接第一/第二型掺杂半导体层。承载器具有粗糙承载表面，且包括位于粗糙承载表面上的第一接点与第二接点，发光二极管的第一/第二电极是朝向承载器以与第一/第二接点电连接。

摘要：一种双回路电极设计的发光二极管芯片，包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、第一电极层及第二电极层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，而发光层设置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层设置于发光层上。第一电极层设置于第一型掺杂半导体层上，且第一电极层呈封闭循环图案。第二电极层设置于第二型掺杂半导体层上，并位于第一电极层所围成的区域内，且第二电极层呈封闭循环图案。如此，双回路电极设计的发光二极管芯片可避免因电极断裂而降低发光效率。

摘要：一种表面黏着型发光二极管封装结构，其包括导线架、发光二极管芯片、多个导体以及胶体，其中发光二极管芯片设置于导线架上方，且发光二极管芯片具有一个朝向导线架的主动表面以及多个位于主动表面上的电极。此外，导体是设置于导线架与发光二极管芯片之间，电极则是通过导体与导线架电连接，而胶体是包覆发光二极管芯片与部份导线架。因此，表面黏着型发光二极管封装结构有较佳的发光效率。

摘要：一种发光二极管，包括基板、半导体叠层、第一电极以及第二电极。其中，半导体叠层设置于基板上，且半导体叠层包括N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层以及发光层。N型掺杂半导体层具有铟掺质，而发光层设置于N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间。此外，第一电极设置于N型掺杂半导体层上，而第二电极设置于P型掺杂半导体层上。上述发光二极管中的N型掺杂半导体层较不易有龟裂、断裂或点缺陷等问题发生，因此上述发光二极管具有较低的电功率消耗、较高的制造合格率以及较佳的可靠性。

摘要：一种发光二极管芯片，其包括基板、静电传导层、第一型掺杂半导体层、活性层、第二型掺杂半导体层、第一电极与第二电极。其中，静电传导层设置于基板上，而第一型掺杂半导体层设置于静电传导层的部分区域上。此外，活性层设置于第一型掺杂半导体层的部分区域上，而第二型掺杂半导体层设置于活性层上。另外，第一电极设置于第一型掺杂半导体层上，而第二电极设置于第二型掺杂半导体层上。本发明之发光二极管芯片具有静电传导层，因此可以避免发光二极管遭受静电放电破坏。

摘要：一种发光二极管结构，其具有寄生反向二极管，此发光二极管结构包括基板、图案化半导体层、第一导线、第二导线与绝缘层。其中，基板具有第一区域以及第二区域，而图案化半导体层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层以及位于两者之间的主动层。上述第一区域中的第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层构成发光二极管元件，而第二区域中的第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层与绝缘层构成静电放电防护二极管元件。本发明的发光二极管结构具有静电放电防护二极管元件，因此可以避免发光二极管元件遭受静电放电破坏。