沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法
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沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法
发明专利无效专利- 申请号：CN200410056768.7
- 申请人：因芬尼昂技术股份公司
- 申请日：2004-08-18
- 主分类号：H01L21/02
- 公开（公告）日：2005-02-23
- 公开/公告号：CN1585096
申请同类专利
摘要：在根据本发明之用于制造在一半导体基板(10)中且具有一低阻抗内部电极(3)以用于内存装置之记忆胞元中之一沟槽电容器(1)的方法中，一分隔层(6)系被提供于该沟槽电容器(1)之该主动区域(13)中之一介电层(5)之上。之后，由一金属或是一金属化合物所制成的一低阻抗内部电极(3)系会被导入该主动区域(13)以及被衬以一绝缘层(7)之该颈项区域(12)两者之中。
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