氮化镓类化合物半导体装置
专利
专利类型：
专利有效性：
法律状态：
高级筛选：
路标网共为您找到相关结果1个
公开(公告)时间
申请时间
氮化镓类化合物半导体装置
发明专利有效专利- 申请号：CN03816873.1
- 申请人：氮化物半导体株式会社
- 申请日：2003-07-01
- 主分类号：H01L33/00
- 公开（公告）日：2005-09-14
- 公开/公告号：CN1669158
委托购买
摘要：本发明涉及主要在不超过375nm的波长下发光的LED。LED由衬底(10)上的GaN层(16)、n-覆盖层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、p-覆盖层(26)、p电极(30)、n电极(32)构成。发光层(24)为对InGaN阱层和AlInGaN阻挡层进行层叠而成的多层量子阱结构(MQW)。通过量子阱结构扩大了InGaN阱层的有效带隙并使发光波长变短。此外，通过在发光层(24)的基底层采用AlInGaN缓冲层(22)，从而有效地将电子注入到发光层(24)，增大发光效率。
著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献
- 1
没找到想要的结果？为您推荐专业专利顾问检索
氮化镓类化合物半导体装置 专利，更快更准确
免费
我想查:已帮助11119974位用户进行查询在售专利 早买早用
更多>
*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供
- 热门业务
- 常用工具
- 规则与服务
- 商务合作
- 关于我们
- 服务热线路标网：023-88392937
快申报：023-88392959
工作日：9:00-12:00/13:30-18:00
商标进度查询
风险动态监测预警
北京聚集科技有限公司版权所有
Copyright @ CHATM ALL Right Reserve
免责声明：本网站部分内容由用户自行上传，如权利人发现存在误传其作品情形，请及时与本站联系删除：chatm@zbj.com
