摘要：本发明公开一种带滤光膜的发光二极管，氮化镓基发光二极管以正常流程加工出P、N电极，在发光二极管P、N电极区域外，使用电子束蒸镀或离子束溅射镀膜系统生长波通滤光膜层，这层滤光膜对紫外光等短波长光有截止作用，对长波长光有高透射率。由于短波长光会加速老化LED封装材料，因而这种具有长波通滤光膜层结构的LED芯片封装时有效地降低了LED的光衰，保证LED的可靠性、一致性和寿命；同时简化外延的结构设计和缩短外延的研发时间。

摘要：本发明公开一种全湿刻蚀后去胶的方法，属于LED制程工艺中GaN刻蚀后去胶，包括溶液配制和使用方法。采用碱性溶液，添加适量的双氧水，放入晶片，浸泡一段时间后，取出冲水后甩干，其晶片表面的光刻胶即被去除干净。本发明适合任何不与碱性溶液发生反应的衬底的光刻胶的去除，利用双氧水的强氧化性，可将光刻胶在溶液中有效的进行去除，此方法操作简单方便，流程极其简单，适合于大规模生产中光刻胶的去除，并且成本极低。

摘要：本发明公开一种抗静电发光二极管器件结构及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、N型氮化镓层、发光层多量子肼结构MQW、P型氮化镓层，蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，制作发光二极管的P、N电极，并分别与保护二极管的N、P电极连接，在不改变现有氮化镓基外延结构的基础上，在一个发光二极管器件内集成了一个保护二极管和一个发光二极管，提高了产品抗静电能力、减少了后续产品封装中并联保护二极管，减少工序，降低产品成本。

摘要：本发明公开一种高效抗静电氮化镓基发光器件及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、N型氮化镓层、发光层多量子肼结构MQW、P型氮化镓层；蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，保护二极管是由两个二极管串联而成，这两个保护二极管串联可以是两个N极相连，也可以是两个P极相连；两个保护二极管串联后的另两端分别再与发光二极管的P、N电极分别连接。这样在不改变现有氮化镓基外延结构的基础上，在一个发光二极管器件中集成了：两个保护二极管和一个发光二极管，两个保护二极管串联后再与发光二极管并联，提高了产品抗静电能力、减少了后续产品封装中并联保护二极管，减少工序，降低产品成本，减少了单个保护二极管的功耗。

摘要：本发明公开一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层，在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。P型氮化镓层后的含有铟镓氮外延层的结构中铟组份含量比多量子阱层中的铟组份要低，这样，这层含有铟镓氮外延层的结构不会吸收多量子阱层中发出的光。而另一方面，在多量子阱中未复合的电子越过电子阻挡层后将在其后的铟镓氮层中复合掉，由于铟镓氮材料的禁带宽度比氮化镓要低，在铟镓氮层中复合将发出波长较长的可见光，从而减小甚至消除了LED芯片中紫外光辐射的产生。

摘要：本发明涉及一种可增加光抽取效率的基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长N型GaN材料、量子阱、P型GaN材料；在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的P型透明电极；用熔胶凝胶法在透明电极上制备一层ZnO纳米球；腐蚀ZnO和P型透明电极，露出刻蚀区，然后刻蚀到N型GaN材料；制备P，N压焊点。该发明可以有效提高二极管的光抽取效率，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。

摘要：本发明涉及了一种垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法，本发明垂直结构发光二极管芯片是通过在P-GAN的欧姆接触层上邦定金属支撑层，机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底，在蓝宝石上激光划槽并通过磷酸+硫酸溶液腐蚀划道，露出N-GAN层，淀积N电极金属，最后切割晶圆得到LED芯片，这样通过邦定金属支撑层-机械研磨-激光划槽-混酸腐蚀的综合方法制造的芯片为垂直结构，其具有热阻低、光取出效率高，制造过程利用现有生产设备、生产可操控性强，降低了生产成本，提高了产品良率。

摘要：本发明提供了一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法，该芯片外延层的侧面具有一定的倾斜角度，能提高发光二极管芯片的出光效率；制备方法是首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；刻蚀出N型层区域，在P型区域镀上透明导电层，并在N、P区域分别蒸镀金属电极，在整个芯片上制备钝化层；通过钝化层的保护，对外延进行刻蚀，控制向两侧刻蚀的速度，形成一定角度倾斜的刻蚀侧面；对芯片进行减薄、划片、裂片、测试和分选。本发明工艺简单，成本较低；同时，本发明中对外延层的处理有助于减少芯片内的应力，减少芯片在加工过程中的弯曲变形，有利于改善减薄、划片和裂片效果。

摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。

摘要：暂无

摘要：本发明涉及了一种带热沉的LED芯片及其制造方法，包括LED芯片和热沉，所述LED芯片是在蓝宝石衬底一面具有外延层，该外延层上设有相互分离的P电极和N电极，所述蓝宝石衬底另一面镀有背金层，其特征在于：LED芯片和热沉之间有一个钎焊层，所述LED芯片具有背金层的一面通过钎焊层共晶邦定一热沉，且所述热沉面积至少为LED芯片面积的三倍。在有超声、压力、加温的情况下通过钎焊层进行共晶邦定，这样LED芯片背面邦定一个自身面积至少三倍的热沉，从而增大了导热面积、改善了LED的散热，有效地降低了LED的光衰，保证LED的可靠性、一致性和寿命。

摘要：本发明公开了一种提高发光二极管外量子效率的方法，发光二极管外延片结构中P型层的生长方式采用了一种新颖的粗化方法：提高P型层Mg的掺杂浓度，从而达到外延片表面粗糙化的效果。粗化层可以是P型复合层中任意一层，或多层，或某一层某一个区域。本发明方法的设计既保证了较高的空穴浓度又提供了粗化表面，LED表面粗化层将那些满足全反射定律的光改变方向，破坏光线在LED内部的全反射，提升出光效率，从而提高外量子效率。

摘要：本发明是一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法。本发明方法特征是：氮化镓生长转入初次二维生长一段时间后，采用低V/III比生长来改变生长模式，氮化镓外延层的生长过程包括低温缓冲层生长、重结晶、初次三维生长、初次二维生长、三维生长、二维生长阶段，其激光实时反射率图谱呈现二次探底。本发明的优点在于：氮化镓薄膜表面平整、晶体质量良好，生长工艺窗口宽。

摘要：一种具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片，包括衬底、n极区域、活性层和p极区域，在n极区域上设有N电极，在p极区域上设有P电极和电流扩散层，在电流扩散层上设有保护层，其特征在于：光子晶体侧向光提取器由柱阵列组成，所述柱阵列贯穿p极区域、活性层和n极区域直至衬底表面，所述光子晶体侧向光提取器包括芯片四周柱阵列，N电极和P电极间电流扩散层保持导电的通路。由于光子晶体侧向光提取器(光子晶体阵列)的设置，修正光的角度，使更多侧面的光投射到外面，从而大幅度地提高LED的外部量子效率。克服了芯片取光效率低、应力集中、发热量大且散热效果不佳的问题。从而使生产出来的LED性能更加稳定，发光亮度更大。

摘要：本发明提出一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法，包括完成电极制作的含p、n电极，半导体外延层和蓝宝石衬底的LED发光芯片，沉积在减薄后的蓝宝石衬底的底面的金属反光层，其特征在于，所述芯片进一步包括：(a)低热阻散热基片，其尺寸比LED发光芯片大；(b)低热阻散热基片上沉积的焊料，其还与金属反光层底面连接。低热阻散热基片为LED发光芯片面积的2到25倍。本发明可以增加LED发光芯片工作时散热通道的面积，显著降低LED发光芯片及其封装后器件的热阻，减少LED器件光衰和漏电流，提高器件寿命。

摘要：本发明涉及了一种倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法，通过N型硅基板(19)背面金属层(20)导电，使用第一绝缘层(14)和第二绝缘层(21)，实现围墙下金属层(8)和凸点下金属层(18)的分步电镀，解决N型硅基板围墙和凸点的制造问题，在电镀过程中，不必要求芯片之间及芯片内部凸点下金属层互连，就可在围墙或凸点区域沉淀金属，并易于控制围墙和凸点的高度，保证产品的良率。

摘要：氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法，其特征在于：在欧姆接触层的透明电极上有孔，孔底部为P型氮化镓，P电极金属经孔直接与P型氮化镓接触。本发明有部分P电极金属通过上述孔与P型氮化镓直接附着，而另一部分P电极金属与透明电极附着，这样极大提高P电极的附着力，防止电极翘起、改善Vf升高和P电极电流分布，提高产品品质。

摘要：一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：①首先，根据LED芯片工艺制作好LED芯片B，在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层，既让电流更为均匀，又让光从LED芯片的背面射出；②根据芯片B，制造大小合适的芯片A，在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙，然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内，通过加压和加热，把芯片B和芯片A结合在一起。本发明简化了倒装焊LED芯片的制造工艺，提高了芯片的可靠性，从而提升良率，而且无需使用复杂的设备，因此大大降低了制造成本，有望应用于LED芯片特别是大功率LED芯片的大规模制造。

摘要：一种氮化镓基III-V族化合物半导体器件的电极，包括n电极6和p电极7，n电极6位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓(n-GaN)层2上，p电极7分别位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(p-GaN)4和透明电极5上，n电极6由欧姆接触层6A、阻挡层6B和金属压焊层6C三层构成，p电极7由粘附导电层7A、阻挡层7B和金属压焊层7C三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层6A和粘附导电层7A均为铬Cr，金属压焊层6C和7C均为金属铝Al。可以降低生产成本、简化生产工艺。

摘要：一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层(5)与量子阱层(2)连接，势垒层(1)，原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)，隧穿势垒层(5)和量子阱层(2)组成一个周期，进行重复，周期数可选择从2至10，最上和最下层均为势垒层(1)；原位电子俘获发射层(3)或原位空穴俘获发射层(4)的厚度介于1nm至3nm。这种结构作为有源层，可以有效地增加电子或空穴的俘获几率，从而提高氮化镓基蓝绿光发光二极管内量子效率，增加其发光效率。