晶科电子(广州)有限公司

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一种LED模组光源

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510934782.0
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-12-15
  • 主分类号:F21S2/00
  • 公开(公告)日:2016-03-16
  • 公开/公告号:CN105402630A
委托购买

摘要:本发明公开了一种LED模组光源,包括设置在基板上的透镜;所述透镜包括一填充空腔,所述填充空腔与基板形成一密闭空间,在所述密闭空间内,填充有第一填充剂,所述第一填充剂为无色透明的非固态物,且不导电;所述透镜还包括若干吸能空腔,在所述吸能空腔内填充有第二填充剂,所述第二填充剂为无色透明气体;所述LED芯片和键合丝位于所述密闭空间的内。本发明可有效解决因键合丝机械强度低容易受到外界冲击力和封装胶体内应力伤害,从而发生断裂的问题,本发明的LED模组光源寿命长、可靠性高。

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齐纳二极管的制作方法和LED封装器件

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510875472.6
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-12-02
  • 主分类号:H01L21/329
  • 公开(公告)日:2016-03-09
  • 公开/公告号:CN105390395A
委托购买

摘要:本发明公开了齐纳二极管的制作方法和LED封装器件,包括在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层;将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层;在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化,使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层;研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层;去掉所述临时载体和基板;切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。所述LED封装器件包括通过该方法制作的齐纳二极管。通过方法制作的齐纳二极管不仅可以有效地避免吸光效应,而且制作过程不需要增加现有封装设备和工序,同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。

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一种倒装白光LED器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510733494.9
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-10-30
  • 主分类号:H01L33/48
  • 公开(公告)日:2016-01-27
  • 公开/公告号:CN105280781A
委托购买

摘要:本发明提供了一种倒装白光LED器件及其制作方法,该白光LED器件包含波长转换层和发光单元,发光单元为倒装芯片结构;发光单元的第二半导体层向外延伸以形成突出部,使得发光单元呈倒T结构;波长转换层完全覆盖发光单元的外延层衬底、第一半导体层及有源层,直达突出部的上表面,且不覆盖第发光单元的二半导体层和常规电极金属层;常规电极金属层和第一半导体层之间设置一通孔,该通孔仅贯穿于常规电极金属层、第二半导体层以及有源层,用于第一电极与第一半导体层的电性连接、以及第二电极与第二半导体层的电性连接。本发明提供的倒装白光LED器件,可靠性高、出光效果佳;而且该白光LED器件的制作方法步骤简单,降低了生产成本,有效地提高了产能。

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一种芯片级LED光源模组

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201520748455.1
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-09-24
  • 主分类号:H01L33/64
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型公开了一种芯片级LED光源模组,该芯片级LED光源模组包括一PCB电路板、至少一个芯片级LED光源、用以围住所述芯片级LED光源的侧壁的围堰和一次光学元件;所述芯片级LED光源设置在所述PCB电路板上,与所述PCB电路板电性连接;所述围堰设置在所述PCB电路板上,与所述芯片级LED光源的侧壁连接;所述一次光学元件设置在所述围堰上。本实用新型使得芯片级LED光源模组具有很好的机械强度,从而避免了在应用过程中外部胶体易遭受破坏的情况的发生,并且导热性能好、光效高。

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一种芯片级LED光源模组及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510617715.6
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-09-24
  • 主分类号:H01L33/64
  • 公开(公告)日:2015-12-16
  • 公开/公告号:CN105161609A
委托购买

摘要:本发明公开了一种芯片级LED光源模组及其制作方法,该芯片级LED光源模组包括一PCB电路板、至少一个芯片级LED光源、围堰和一次光学元件;所述芯片级LED光源设置在所述PCB电路板上,与所述PCB电路板电性连接;所述围堰设置在所述PCB电路板上,与所述芯片级LED光源的侧壁连接,用以围住所述芯片级LED光源的侧壁;所述一次光学元件设置在所述围堰上。本发明使得芯片级LED光源模组具有很好的机械强度,从而避免了在应用过程中外部胶体易遭受破坏的情况的发生,并且导热性能好、光效高。

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具有浪涌吸收及静电抑制功能的高压光组件发光模组

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201520638203.3
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-08-21
  • 主分类号:H05B37/02
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型公开了一种具有浪涌吸收及静电抑制功能的高压光组件发光模组,包括与电路输入端连接的用于吸收电路浪涌及抑制电路静电的功率消耗模块、用于发光的LED组件以及用于控制所述LED组件的控制模块,所述LED组件以及控制模块通过所述功率消耗模块接入电路。本实用新型采用陶瓷功率电阻与瞬态抑制二极管形成第一消耗回路,延长输入端输入的静电和浪涌电压作用于LED的时间周期,若该时间周期与压敏电阻响应时间的周期无限接近时,压敏电阻、整流桥和第一消耗回路形成第二消耗回路,通过第一电阻、第二电阻、压敏电阻发热的形式消耗将静电和电路的浪涌电压所产生的能量,保护线性恒流IC和LED稳定工作,降低日常维护成本,延长高压光组件的使用寿命。

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一种白光LED器件

实用新型无效专利
  • 申请号:CN201520518042.4
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-07-16
  • 主分类号:H01L33/48
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
申请同类专利

摘要:本实用新型提供一种白光LED器件,包括透明容纳件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容纳件的荧光胶层,所述透明容纳件设有第一容纳槽、及由所述第一容纳槽的底面凹陷形成的第二容纳槽,所述第二容纳槽的底面面积小于所述第一容纳槽的底面面积,所述荧光胶层设于所述第二容纳槽,所述LED芯片设于所述第一容纳槽,LED芯片、荧光胶层二者相对的表面相粘接。本实用新型提供的白光LED器件有助于实现荧光胶层的薄型化,从而避免荧光胶层过厚而引起的可靠性失效问题,而且该白光LED器件具有较强的机械强度。

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一种白光LED器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201510418375.4
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-07-16
  • 主分类号:H01L33/48
  • 公开(公告)日:2015-10-21
  • 公开/公告号:CN104993032A
委托购买

摘要:本发明提供一种白光LED器件及其制作方法,该白光LED器件包括透明容纳件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容纳件的荧光胶层,所述透明容纳件设有第一容纳槽、及由所述第一容纳槽的底面凹陷形成的第二容纳槽,所述第二容纳槽的底面面积小于所述第一容纳槽的底面面积,所述荧光胶层设于所述第二容纳槽,所述LED芯片设于所述第一容纳槽,LED芯片、荧光胶层二者相对的表面相粘接。本发明提供的白光LED器件有助于实现荧光胶层的薄型化,从而避免荧光胶层过厚而引起的可靠性失效问题,而且令白光LED器件具有较强的机械强度。

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广色域光学膜片及LED背光模组

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201520126234.0
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-03-04
  • 主分类号:F21V9/10
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型提供一种广色域光学膜片及应用该膜片的LED背光模组,该广色域光学膜片包括在460-510nm波段范围有峰值吸收的第一荧光转换层、和在550-620nm波段范围有峰值吸收的第二荧光转换层,所述第一荧光转换层和所述第二荧光转换层层叠设置。采用本实用新型提供的光学膜片,在不改变背光模组的LED色纯度及CF滤光性能的基础上就可实现更广的色域。

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广色域光学膜片、其制备方法及LED背光模组

发明专利无效专利
  • 申请号:CN201510096856.8
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2015-03-04
  • 主分类号:F21V9/10
  • 公开(公告)日:2015-06-03
  • 公开/公告号:CN104676493A
申请同类专利

摘要:本发明提供一种广色域光学膜片、其制备方法和应用该膜片的LED背光模组,其中,该广色域光学膜片包括层叠设置的第一荧光转换层和第二荧光转换层,所述第一荧光转换层为第一荧光转换材料和热固性胶体混合而成,所述第二荧光转换层为第二荧光转换材料和热固性胶体混合而成,其中,所述第一荧光转换材料为在460-510nm波段范围有峰值吸收的荧光转换材料,所述第二荧光转换材料为在550-620nm波段范围有峰值吸收的荧光转换材料。采用本发明提供的光学膜片,在不改变背光模组的LED色纯度及CF滤光性能的基础上就可实现更广的色域。

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出光效率高散热性能好的倒装LED芯片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201410790792.7
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-12-17
  • 主分类号:H01L33/44
  • 公开(公告)日:2015-04-08
  • 公开/公告号:CN104505446A
委托购买

摘要:本发明提供一种出光效率高散热性能好的倒装LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括外延衬底,在外延衬底上表面依次层叠有N型外延层、发光层、及P型外延层,所述P型外延层其上开设有凹孔,且所述凹孔向下贯穿过所述发光层并延伸至所述N型外延层,在所述P型外延层上表面依次层叠有P接触金属层、P阻挡保护层、及P表面电极层,且所述P阻挡保护层的下表面与P接触金属层的上表面重合,对应于所述凹孔的底部的N型外延层上表面依次层叠有N接触金属层、N表面电极层,且N接触金属层与所述凹孔的边缘之间留有空隙,所述空隙其壁面设有绝缘层。本发明提供的倒装LED芯片具有良好导热导电性能、且其结构有利于提高LED芯片出光效率。

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出光效率高散热性能好的倒装LED芯片

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201420807361.2
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-12-17
  • 主分类号:H01L33/44
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型提供一种出光效率高散热性能好的倒装LED芯片,包括外延衬底,在外延衬底上表面依次层叠有N型外延层、发光层、及P型外延层,所述P型外延层其上开设有凹孔,且所述凹孔向下贯穿过所述发光层并延伸至所述N型外延层,在所述P型外延层上表面依次层叠有P接触金属层、P阻挡保护层、及P表面电极层,且所述P阻挡保护层的下表面与P接触金属层的上表面重合,对应于所述凹孔的底部的N型外延层上表面依次层叠有N接触金属层、N表面电极层,且N接触金属层与所述凹孔的边缘之间留有空隙,所述空隙其壁面设有绝缘层。本实用新型提供的倒装LED芯片具有良好导热导电性能、且有利于提高LED芯片出光效率。

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一种免二次透镜的LED背光源及LED背光源模组

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201420618418.4
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-10-23
  • 主分类号:G02F1/13357
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型提供一种免二次透镜的LED背光源及背光源模组,所述LED背光源包括基板、及至少一个与所述基板电性连接的LED倒装芯片单元,所述LED倒装芯片单元包括一LED倒装芯片及一透镜,所述LED倒装芯片的出光面表面包覆有厚度为100~400μm的光学转换材料层,所述透镜其入光面内凹形成一容纳槽,所述透镜通过其容纳槽罩设于所述LED倒装芯片,且所述容纳槽其内表面和包覆于LED倒装芯片出光面表面的光学转换材料层相对。本实用新型提供的直下式LED背光源具有结构相对简单、封装所需空间相对较小的特点,可实现背光模组超薄化。

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一种高可靠性的倒装LED芯片、LED器件和LED芯片的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201410534350.6
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-10-11
  • 主分类号:H01L33/10
  • 公开(公告)日:2015-01-21
  • 公开/公告号:CN104300056A
委托购买

摘要:本发明提供了一种高可靠性的倒装LED芯片、LED器件及其制作方法,LED芯片包括外延衬底依次叠加在外延衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和接触反射层,接触反射层侧面包覆设置第一阻挡层,接触反射层与第一阻挡层上表面设置第二阻挡层,第二阻挡层上开设通孔,将所述通孔往下延伸直至在第一半导体层上形成盲孔,第一半导体层的裸露表面和第二阻挡层上表面上设置绝缘层,第一半导体层的裸露表面上的绝缘层上开设有第一安装槽,第二阻挡层的上表面的绝缘层上开设有第二安装槽,第一安装槽内安装有第一电极,第二安装槽内安装第二电极。本发明提供的LED芯片寿命长,可靠性高。

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一种高可靠性的倒装LED芯片及其LED器件

实用新型无效专利
  • 申请号:CN201420586968.2
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-10-11
  • 主分类号:H01L33/10
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
申请同类专利

摘要:本实用新型提供了一种高可靠性的倒装LED芯片、LED器件,LED芯片包括外延衬底依次叠加在外延衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和接触反射层,接触反射层侧面包覆设置第一阻挡层,接触反射层与第一阻挡层上表面设置第二阻挡层,第二阻挡层上开设通孔,将所述通孔往下延伸直至在第一半导体层上形成盲孔,第一半导体层的裸露表面和第二阻挡层上表面上设置绝缘层,第一半导体层的裸露表面上的绝缘层上开设有第一安装槽,第二阻挡层的上表面的绝缘层上开设有第二安装槽,第一安装槽内安装有第一电极,第二安装槽内安装第二电极。本实用新型提供的LED芯片寿命长,可靠性高。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

一种广色域LED发光器件及其背光组件

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201420539352.X
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-09-18
  • 主分类号:H01L33/50
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型提供一种广色域LED发光器件及其背光组件,包括一LED支架,所述LED支架顶部向内凹陷形成用于安装LED芯片的凹槽,在凹槽底部设有至少一个LED芯片,其特征在于,所述LED芯片为蓝光或紫光LED芯片,在凹槽内填充有荧光转换复合层,所述荧光转换复合层包括一覆盖于LED芯片的出光面的表面的红色荧光转换层、一层叠于红色荧光转换层上表面的绿色荧光转换层、及一层叠于绿色荧光转换层上表面的在460~510nm波段范围有强吸收的荧光转换层。本实用新型提供的广色域的LED发光器件,其可降低LED发光器件高NTSC值对所需的绿色荧光粉半峰宽的苛刻要求。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

广色域LED发光器件及其背光组件

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201410480126.3
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-09-18
  • 主分类号:H01L33/50
  • 公开(公告)日:2014-12-24
  • 公开/公告号:CN104241507A
委托购买

摘要:本发明提供一种广色域LED发光器件及含有该发光器件的LED背光组件,所述广色域LED发光器件包括至少一个LED芯片,所述LED芯片为蓝光或紫光LED芯片,在LED芯片的出光面的表面包覆有荧光转换层,所述荧光转换层由荧光转换材料和热固性胶体混合而成,所述荧光转换材料包括绿色荧光转换材料、红色荧光转换材料及在460‑510nm波段范围有强吸收的荧光转换材料。本发明提供的广色域LED发光器件,其可降低LED发光器件高NTSC值对所需的绿色荧光粉半峰宽的苛刻要求。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

一种出光效率高的倒装LED芯片、及其LED器件和制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN201410375230.6
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-08-01
  • 主分类号:H01L33/38
  • 公开(公告)日:2014-11-05
  • 公开/公告号:CN104134734A
申请同类专利

摘要:本发明提供一种倒装LED芯片、其制备方法及包含该芯片的LED器件,所述芯片其P型外延层上开设有第一凹孔;在P型外延层上表面叠加有一P接触金属层;第一叠加结构其上表面叠加有P阻挡保护层,且P阻挡保护层的下表面覆盖面积与P型外延层的上表面面积一致;第二叠加结构其外露的表面设有绝缘层,其和第一凹孔的底部位置相对应的绝缘层部分设有第一通孔,在和P阻挡保护层上表面对应的绝缘层部分设有第二通孔;N表面电极通过所述第一通孔与N型外延层电连接,所述P表面电极通过所述第二通孔与P阻挡保护层电连接。本发明提供的倒装LED芯片导热导电能力好、且有利于提高出光效率。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

一种出光效率高的倒装LED芯片、及其LED器件

实用新型有效专利
  • 申请号:CN201420431112.8
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-08-01
  • 主分类号:H01L33/38
  • 公开(公告)日:暂无
  • 公开/公告号:暂无
委托购买

摘要:本实用新型提供一种倒装LED芯片、及包含该芯片的LED器件,所述芯片其P型外延层上开设有第一凹孔;在P型外延层上表面叠加有一P接触金属层;第一叠加结构其上表面叠加有P阻挡保护层,且P阻挡保护层的下表面覆盖面积与P型外延层的上表面面积一致;第二叠加结构其外露的表面设有绝缘层,其和第一凹孔的底部位置相对应的绝缘层部分设有第一通孔,在和P阻挡保护层上表面对应的绝缘层部分设有第二通孔;N表面电极通过所述第一通孔与N型外延层电连接,所述P表面电极通过所述第二通孔与P阻挡保护层电连接。本实用新型提供的倒装LED芯片导热导电能力好、且有利于提高出光效率。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

导电导热良好的倒装LED芯片、及其LED器件和制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:CN201410377460.6
  • 申请人:晶科电子(广州)有限公司
  • 申请日:2014-08-01
  • 主分类号:H01L33/64
  • 公开(公告)日:2014-11-12
  • 公开/公告号:CN104143603A
申请同类专利

摘要:本发明提供一种倒装LED芯片及其制备方法,包括外延衬底、P表面电极、N表面电极、叠加于外延衬底上表面的N型外延层、叠加于N型外延层上表面的发光层、叠加于发光层上表面的P型外延层,P型外延层其上开设有第一凹孔;在P型外延层上表面叠加有一P接触金属层,且P接触金属层的边缘与P型外延层的边缘之间留有空间;第一叠加结构上表面叠加有P阻挡保护层,P阻挡保护层下表面覆盖面积与P型外延层上表面面积一致;第二叠加结构其外露的表面设有绝缘层,其设有第一通孔和第二通孔;N表面电极通过第一通孔与N型外延层电连接,P表面电极通过第二通孔与P阻挡保护层电连接。本发明提供的倒装LED芯片导热导电能力好、且有利于提高出光效率。

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