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多极网格离子发射加速器

实用新型无效专利

申请号：CN93213940.X
申请人：昆明航天科发镀膜公司
申请日：1993-05-20
主分类号：暂无
公开（公告）日：暂无
公开/公告号：暂无

申请同类专利

摘要：本实用新型提供一种用于镀膜机上可与同轴磁控溅射靶配套使用的多极网格离子发射加速器，它利用金属环(1)和支撑环的两层金属杆(2)以及金属杆上及外围装有的发热装置(4)(5)和加速电极装置(3)构成一多极网格型离子发射加速器，在磁控溅射离子镀膜中起到离子发射加速及发热作用，以增强镀膜层与基体的结合强度及加快镀膜周期。由于本实用新型偏压采用电子—离子加速—离子结合形式，使基板(工件)所收集到的离子流是靶电流的10—15％。

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同轴磁控溅射靶

实用新型无效专利

申请号：CN93214070.X
申请人：昆明航天科发镀膜公司
申请日：1993-04-13
主分类号：暂无
公开（公告）日：暂无
公开/公告号：暂无

申请同类专利

摘要：本实用新型提供一种可应用于大面积基板上镀装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用高硬度、高熔点金属制做的靶环(5)，环状套装结构，可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位，同时也便于更换有缺陷靶环，靶材利用率可提高至70％以上，为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本实用新型具有刻蚀均匀度好，刻蚀面积大，沉积速度高，薄膜均匀度好，结构简单、易制做特点。

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