无汞金属卤化物灯

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无汞金属卤化物灯

发明专利无效专利
  • 申请号:CN99801596.2
  • 申请人:松下电器产业株式会社
  • 申请日:1999-09-10
  • 主分类号:暂无
  • 公开(公告)日:2000-12-20
  • 公开/公告号:CN1277732
申请同类专利

摘要:在发光管1中设有一对电极3,如果该电极3的前端部分的截面积为S,以额定功率点火时电极3.3之间流动的电流为I时,那么I/S在20(A/mm2)以下。由此,随着经过的点火时间增加也不会产生因电极蒸发等造成的灯电压的上升和发光管1的黑化,可以获得长的灯寿命。

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无汞金属卤化物灯

发明专利无效专利
  • 申请号:CN200410031798.2
  • 申请人:松下电器产业株式会社
  • 申请日:1999-02-17
  • 主分类号:H01J61/12
  • 公开(公告)日:2004-12-29
  • 公开/公告号:CN1558445
申请同类专利

摘要:一种无汞金属卤化物灯,该灯在发光管内,封入:稀有气体,Sc的卤化物,Na的卤化物,和In的卤化物,其特征在于,所述灯的发射光中的色度点在CIE1931xy色度图上满足以下各式①x≥0.310,②x≤0.500,③y≤0.150+0.640x,④y≤0.440,⑤y≥0.050+0.750x,和⑥y≥0.382,但是x≥0.44。

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无汞金属卤化物灯

发明专利无效专利
  • 申请号:CN200610159862.4
  • 申请人:松下电器产业株式会社
  • 申请日:1999-02-17
  • 主分类号:H01J61/12
  • 公开(公告)日:2007-06-13
  • 公开/公告号:CN1979755
申请同类专利

摘要:本发明的目的在于提供一种不封入汞,同时使发光管的内压不过高,具有高的灯工作电压和长寿命的无汞金属卤化物灯。因此,本发明的灯,作为填充物202,包含0.04mg的ScI3,0.21mg的NaI,Xe在常温下为7atm,同时还包含其金属单体中的电离电压为5~10eV,灯点火时的温度下的蒸汽压在10-5atm以上的0.1mg的Y的碘化物YI3。

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无汞金属卤化物灯

发明专利无效专利
  • 申请号:CN99800163.5
  • 申请人:松下电器产业株式会社
  • 申请日:1999-02-17
  • 主分类号:H01J61/20
  • 公开(公告)日:2000-06-14
  • 公开/公告号:CN1256790
申请同类专利

摘要:本发明的目的在于提供一种不封入汞,同时使发光管的内压不过高,具有高的灯工作电压和长寿命的无汞金属卤化物灯。因此,本发明的灯,作为填充物202,包含0.04mg的ScI3,0.21mg的NaI,Xe在常温下为7atm,同时还包含其金属单体中的电离电压为5~10eV,灯点火时的温度下的蒸汽压在10-5atm以上的0.1mg的Y的碘化物YI3。

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