摘要：本发明涉及在半导体管芯上形成细节距的RDL的半导体器件和方法。半导体器件具有包括多个导电迹线的第一导电层。第一导电层形成在衬底上。利用窄节距形成导电迹线。在第一导电层上放置第一半导体管芯和第二半导体管芯。在第一和第二半导体管芯上沉积第一密封剂。移除衬底。在第一密封剂上沉积第二密封剂。在第一导电层和第二密封剂上形成堆积互连结构。堆积互连结构包括第二导电层。在第一密封剂中放置第一无源器件。在第二密封剂中放置第二无源器件。在第二密封剂中放置垂直互连单元。第三导电层形成在第二密封剂上并且经由垂直互连单元电气连接到堆积互连结构。

摘要：本发明涉及半导体器件和在半导体封装中使用标准化的载体的方法。一种半导体器件具有载体，该载体具有固定尺寸。从第一半导体晶圆中将多个第一半导体管芯分割。第一半导体管芯设置在载体上面。载体上面的第一半导体管芯的数目独立于从该第一半导体晶圆中分割的第一半导体管芯的尺寸和数目。在第一半导体管芯和载体上面以及在第一半导体管芯和载体周围淀积密封剂来形成重构的面板。在该重构的面板上面形成互连结构，同时使得密封剂缺乏该互连结构。经过密封剂将该重构的面板分割。从载体中去除第一半导体管芯。具有与第一半导体管芯的尺寸不同的尺寸的第二半导体管芯设置在载体上面。载体的固定尺寸独立于第二半导体管芯的尺寸。

摘要：半导体器件及形成嵌入式晶片级芯片规模封装的方法。半导体器件包括半导体管芯和沉积在半导体管芯上方和周围的密封剂。半导体晶片包括多个半导体管芯和基体半导体材料。凹槽被形成在基体半导体材料中。半导体晶片被穿过凹槽分割以分离半导体管芯。半导体管芯被设置在载体上方，半导体管芯之间具有500微米(μm)或更小的距离。密封剂覆盖半导体管芯的侧壁。扇入互连结构被形成在半导体管芯上方，同时密封剂保持不具有扇入互连结构。从半导体管芯的非有源表面移除密封剂的一部分。器件被穿过密封剂分割，同时留下设置为覆盖半导体管芯的侧壁的密封剂。覆盖侧壁的密封剂包括50μm或更小的厚度。

摘要：一种集成电路封装系统及其制造方法，所述系统包括衬底；形成在所述衬底上的模盖；在所述模盖中刻划的基准标记；被施加在所述衬底上并且参照所述基准标记的热界面材料；以及安装在所述热界面材料上的散热件，所述散热件通过相对于所述基准标记对齐的定位缺口被准确地定位。

摘要：平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法。半导体器件具有衬底。导电通孔穿过衬底而形成。多个第一接触焊盘在衬底的第一表面上方形成。多个第二接触焊盘在衬底的第二表面上方形成。虚设图案在衬底的第二表面上方形成。缺口在衬底的侧壁中形成。开口穿过衬底而形成。密封剂被沉积在开口中。绝缘层在衬底的第二表面上方形成。虚设开口在绝缘层中形成。半导体管芯被布置成邻近于衬底。密封剂被沉积在半导体管芯和衬底上方。衬底的第一表面包括比衬底的第二表面的宽度大的宽度。