摘要：本实用新型公开了一种SOI压力应变计，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘的力敏电阻，通过内金属引线把力敏电阻连接成半桥或全桥惠斯顿电路。金属内引线是在掺浓硼的单晶硅或多晶硅层表面行走。二氧化硅绝缘薄膜电阻率高达1015Ω-cm，保证力敏电阻之间没有电泄漏。因此可用于工作温度高达300℃以上的军事工业上。由于采用了高浓度的单晶硅或多晶硅材料制作力敏电阻，所以灵敏度和零点的温度系数达到了10-6VB/℃以上。具有高温低漂移的优良特性。

摘要：本实用新型公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。

摘要：本实用新型公开了一种电容液位变送器，包括主测量电容，所述主测量电容电连接有参考测量电容，该参考测量电容的高度小于主测量电容，如被测介质没有浸泡到参考测量电容则可以通过检测参考电容的容值变化来计算出气体部分介电常数变化所并对产品的测量值进行修正；如参考电容完全浸泡在被测介质中，则可以通过检测参考测量电容的容值变化来计算出被测介质的介电常数的变化量并对产品的测量值进行修正。通过引入参考电容来消除因被测介质介电常数变化而带来的测量误差，提高测量的精度。解决了电容液位变送器出厂时所使用的标定介质与实际测量的介质必须为同一介质，否则必须进行现场标定的问题。

摘要：本实用新型涉及一种非接触式调试磁致伸缩位移传感器，包括壳体，壳体的一端是端盖，端盖的外表面设有至少一个内凹的盲沉孔，壳体内设置有传感器电路板，电路板固定有与盲沉孔数量相同的霍尔开关，霍尔开关靠近盲沉孔；一调试笔，调试笔设置有略小于盲沉孔内径的磁粒，在使用时，利用调试笔对传感器进行非接触式调试，满足具有防爆要求的工业现场可靠使用，减少现场布线，由于非接触式，稳定可靠，使用寿命长；进一步，本设计对电路板进行灌胶处理，将电路板封装在盘状沉孔内，对传感器电路及电路元件有效可靠地进行保护，防止渗液。

摘要：本实用新型公开了一种多功能变送器的封装结构，包括由前、后压板紧压组成的密封壳体、信号处理电路、电流输出电路、安装在密封壳体内的电容差压传感器和压力/绝压传感器，所述电容差压传感器上设有若干个压力接口，压力/绝压传感器与其中一个压力接口连接，电容差压传感器和压力/绝压传感器的信号输出端均与信号处理电路的输入端连接，信号处理电路的输出端与电流输出电路连接。

摘要：本实用新型公开了一种溶氧仪清洗器的安装支架，其特征在于：包括支撑管和支承板，所述支承板可移动地安装在支撑管上，支承板上设有安装清洗器的卡接口，支撑管的底部设有锥头，本实用新型将清洗器安装在沿支撑管移动的支承板上，在维护的时候提起支承板即可，大大简化了用户的操作，且通过调节支承套固定在支撑管上的位置，可按用户实际的使用要求随时进行测量位置的调整，进一步，在支撑管的下部安装了挡泥板，支撑管插入泥的深度有了很好的定位，而且也增加了支撑管的牢固度。

摘要：本实用新型公开了一种电容式液位变送器，包括电容传感器、C/F转换电路、中央处理单元和输出调理电路，其中电容传感器的输出端与C/F转换电路相连，C/F转换电路的输出端与中央处理单元相连，中央处理单元的输出端与输出调理电路相连，这种电容式液位变送器直接将电容量转为数字信号，省去了AD转换的中间环节，利用中央处理单元数据处理的优势，实现了液位测量的高精度与智能化，并且具有数字电路抗干扰强的特点，从而提高了转换的准确度以及稳定性。同时，结构设计简单紧凑、硬件电路稳定、软件代码运行高效，加之多种软硬件抗干扰措施使得该液位变送器具有测量介质广泛、量程宽、输出信号稳定、温漂小的特点，应用范围较广。