摘要：本实用新型公开了一种荧光法溶氧传感器用双槽型镜片，包括有机玻璃镜片，所述有机玻璃镜片上端设有位于中部的凹槽及围绕凹槽的环状槽，所述凹槽底面通过胶水涂覆有荧光膜，所述有机玻璃镜片上端通过胶水涂覆有覆盖荧光膜和环状槽的保护膜，所述保护膜分别与荧光膜、环状槽之间填充有胶水。由于有凹槽和环状槽结构的设计，保护膜、荧光膜及有机玻璃镜片之间的粘着强度增大，有效阻碍了外界物质对荧光膜的干扰，从而提高荧光法溶氧传感器的测量准确度和使用寿命。

摘要：本实用新型公开了一种DSOI应变计，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。该结构减少了电泄漏，提高了传感器的工作温度范围，同时衬底层底部的绝缘膜基底把整个应变计连成一片，既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化，减小全桥电路的失调电压，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触，提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。

摘要：本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。该结构减少了电泄漏，提高了传感器的工作温度范围，同时衬底层底部的绝缘膜基底把整个应变计连成一片，既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化，减小全桥电路的失调电压，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触，提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。

摘要：本实用新型公开了一种高压共轨压力变送器的电气连接结构，包括基座、传感头、电路板及插座，传感头、电路板和插座形成电连接，基座与插座固定连接，且基座与插座之间形成有安装腔，插座内设有插针，插针一端伸入安装腔并设有导电弹片，导电弹片另一端抵接在电路板上形成电连接，插座内嵌装有绝缘弹性件，该绝缘弹性件一端伸入安装腔内并压紧在导电弹片与电路板相抵接的部位上。该结构由于导电弹片通过自身弹性力和绝缘弹性件的弹性力与电路板弹性接触形成电连接，具有双重保障作用，避免在较大震动或导电弹片老化的情况下出现压力变送器失效的问题，增强了电路板与插座之间的电气接合强度，提高了电路板与插座之间的电气连接的可靠性。

摘要：本实用新型公开了一种改进型细长杆结构的压阻式传感器，包括传感头及安装有细长杆的基座，细长杆与基座构成的基体内设有供外部流体流入的引压源孔，引压源孔包括开设在细长杆上的第一引压源孔，第一引压源孔的底端形成有弹性受压面，弹性受压面背面安装有所述的传感头，所述细长杆远离传感头的一端设有固定部，细长杆靠近传感头的一端设有与基座形成径向间隙分隔的分隔面，细长杆在分隔面与固定部之间设有与基座过渡配合或过盈配合的配合面，该配合面的长度与分隔面的长度之比为0.1~0.7。该结构增强了基座和细长杆一体性，减少了现有技术中细长杆因受压摆动或摇晃等原因而影响传感头的性能，提高了传感器的测量精度和长期稳定性。

摘要：本实用新型公开了一种具有应力环结构的压阻式传感器，包括其内安装有压力座的基座、传感头、电路板和插座，压力座与基座构成的基体内设有引压源孔，引压源孔包括开设在压力座上的第一引压源孔，第一引压源孔的底端形成有弹性受压面，弹性受压面背面上安装传感头，压力座靠近弹性受压面的外壁上设有与基座形成径向分隔的环状的应力槽，应力槽内设有至少一个应力环。本实用新型在原有的应力槽隔离应力传递的基础上，添加隔断、释放应力的应力环，形成多重障碍，有效阻隔了外应力对传感头的影响，提高了传感器的抗外应力能力，减少了高低温热循环对传感器的影响，提高了传感器的测量精度和长期稳定性，为实现产品体积、成本更优化提供条件。

摘要：本实用新型公开了一种压阻式传感器的电路板安装结构，包括基座、电路板及插座，基座后端设有凹腔，插座对应该凹腔设有开口腔，电路板与基座之间设有电路板定位结构，电路板定位结构包括相配合的插柱和电路板定位槽，基座在凹腔内设有便于开口腔的侧壁插入的环状槽，凹腔的侧壁与开口腔的侧壁形成包边连接结构，电路板朝向开口腔的一面焊接有弹性元件，弹性元件另一端与插座内的插针接触形成电连接，插座与基座之间设有插座定位结构，插座定位结构包括相互配合的定位肋和插座定位槽。该结构可以使电路板和插座快速定位在基座上，安装方便快捷，定位可靠，同时无需在电路板与插座之间焊接导线，传感器整体体积小，可采用自动化设备进行装配。

摘要：本发明公开了一种SOI压力应变计及其制作方法，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘的力敏电阻，通过内金属引线把力敏电阻连接成半桥或全桥惠斯顿电路。金属内引线是在掺浓硼的单晶硅或多晶硅层表面行走。二氧化硅绝缘薄膜电阻率高达1015Ω-cm，保证力敏电阻之间没有电泄漏。因此可用于工作温度高达300℃以上的军事工业上。由于采用了高浓度的单晶硅或多晶硅材料制作力敏电阻，所以灵敏度和零点的温度系数达到了10-6VB/℃以上。具有高温低漂移的优良特性。

摘要：本实用新型公开了一种SOI压力应变计，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘的力敏电阻，通过内金属引线把力敏电阻连接成半桥或全桥惠斯顿电路。金属内引线是在掺浓硼的单晶硅或多晶硅层表面行走。二氧化硅绝缘薄膜电阻率高达1015Ω-cm，保证力敏电阻之间没有电泄漏。因此可用于工作温度高达300℃以上的军事工业上。由于采用了高浓度的单晶硅或多晶硅材料制作力敏电阻，所以灵敏度和零点的温度系数达到了10-6VB/℃以上。具有高温低漂移的优良特性。

摘要：本发明公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。

摘要：本实用新型公开了压力传感器的硅芯片结构总成，包括硅芯片，所述硅芯片上设置有硅弹性膜区，在该硅弹性膜区上设置有四个压敏电阻构成惠斯顿电桥，所述硅芯片上连接有金属基座，所述金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片上对应该通道位置设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述硅弹性膜区为由梁区和膜区构成的梁膜区，所述四个压敏电阻设置在所述梁区上，梁区厚度为膜区厚度的二倍以上，使得被测介质作用于膜区的压力会集中到梁区上，大大的提高了硅弹性膜区的灵敏度，降低了检测误差，并且本实用新型结构简单合理紧凑、实施方便、成本低，能够很好的适应行业发展的需求。

摘要：本实用新型公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。

摘要：本发明公开了一种具有金属流密封结构的压阻式传感器及其制造方法，包括基座，基座包括软金属连接体和硬金属压力座，软金属连接体的前端设有第一引压源孔及阶梯孔，后端设有内腔，硬金属压力座内设有第二引压源孔，第二引压源孔靠近内腔的底端形成有封闭第二引压源孔的弹性受压面，弹性受压面背面安装有传感头，硬金属压力座上靠近弹性受压面的一端设有与阶梯孔形成径向空隙分隔的分隔部，另一端设有阶梯轴，阶梯轴的小直径端的外周壁上开设有密封环槽，硬金属压力座压入阶梯孔内，阶梯轴上的阶梯端面推挤阶梯孔的台阶面迫使阶梯孔的小孔内壁塑性变形并流入密封环槽而实现密封和承压。本发明有效阻隔了应力传递，提高了测量精度。

摘要：本实用新型公开了一种具有金属流密封结构的压阻式传感器及其制造方法，包括基座，基座包括软金属连接体和硬金属压力座，软金属连接体的前端设有第一引压源孔及阶梯孔，后端设有内腔，硬金属压力座内设有第二引压源孔，第二引压源孔靠近内腔的底端形成有封闭第二引压源孔的弹性受压面，弹性受压面背面安装有传感头，硬金属压力座上靠近弹性受压面的一端设有与阶梯孔形成径向空隙分隔的分隔部，另一端设有阶梯轴，阶梯轴的小直径端的外周壁上开设有密封环槽，硬金属压力座压入阶梯孔内，阶梯轴上的阶梯端面推挤阶梯孔的台阶面迫使阶梯孔的小孔内壁塑性变形并流入密封环槽而实现密封和承压。该结构有效阻隔了应力传递，提高了测量精度。

摘要：本实用新型公开了一种具有细长杆结构的压阻式传感器，括传感头和基座，基座中内含细长杆，基座的后端设置有内腔，前端设置有与内腔连通的安装孔，细长杆设有引压源孔，引压源孔靠近内腔的底端形成有封闭引压源孔的弹性受压面，弹性受压面背面上安装有传感头，细长杆插入安装孔后，其上远离传感头的一端与基座固定配合连接，其上靠近传感头的一端与安装孔形成径向空隙分隔，该径向空隙分隔部分的长度为细长杆长度的30%~90%。该结构有效阻隔了基座因外力产生的应力对传感头的影响，提高了传感器的测量精度和长期稳定性；同时无需将基座和细长杆全部采用弹性材料制造，降低了生产成本。

摘要：本实用新型公开了一种双电容液位传感器，包括主测量电容和参考测量电容，所述参考测量电容的高度小于主测量电容，所述主测量电容和参考测量电容并列外置安装在安装座上，主测量电容和参考测量电容绝缘隔离。本实用新型在主测量电容的基础上增加了一个高度比主测量电容小的参考测量电容，通过引入参考测量电容来消除因被测介质介电常数变化而带来的测量误差，提高测量的精度。而且本实用新型中的主测量电容和参考测量电容并列外置安装在安装座上，主测量电容和参考测量电容绝缘隔离，两个电容在工作时，主测量电容和参考测量电容之间的电极不会形成测量电容，相互不会产生影响，使测量的稳定性和测量的精度大大提高。

摘要：本实用新型公开了密封连接器，包括基座和电极座，有锁紧螺母套置在所述基座和电极座上实现基座与电极座的对接，所述基座与电极座之间采用球面和锥面配合形成密封对接，在高压、低温条件下球面与锥面不会出现破坏、收缩等现象，在长时间使用后，球面和锥面也不会出现硬化现象，因此，球面与锥面之间能够始终形成良好的密封，容易实现将密封和电气信号传递功能设计为一体，具有简单合理紧凑、安装方便、实施成本低等特点，能广泛应用在高压和低温环境中。

摘要：本实用新型公开了一种新型煤矿液压支架用磁致伸缩位移传感器，包括出线端盖、电子仓、支架、磁环、波导管、不锈钢外管与O型密封圈。磁环与千斤顶活塞杆嵌套一起，电子仓发出的信号通过测试磁环的位置得出千斤顶活塞杆与液压支架的位移信息。电子仓与波导管一体式连接，波导管安装在不锈钢外管内，磁环设置于不锈钢外管外侧，使传感器具备了体积小的特点，可应用于千斤顶活塞缸中；设置IP68灌胶区域和O型密封圈的侧密封方式增加了传感器的可靠性与使用寿命；电路板采用10位的AD转换，输出的DC信号呈线性变化，非线性误差小于1mm，大大提高了传感器位置测量的精确度。

摘要：本实用新型公开了一种分体式磁致伸缩位移传感器，包括磁环，用于检测磁环位置的测杆、用于进行信号处理的电子仓和屏蔽电缆线，磁环套在测杆上，测杆和电子仓通过屏蔽电缆线相互连接，测杆包括核心敏感元件和拾能机构，测量元件是拾能机构，拾能机构内的核心敏感元件由特殊的磁致伸缩材料制成的。安装使用时，测杆安装在工程机械上的液压油缸中，电子仓固定安装在液压油缸的外面。该方案具有耐压高、输出稳定、精度高、维护方便等优点。

摘要：本实用新型公开了一种电容液位变送器，包括主测量电容，所述主测量电容电连接有参考测量电容，该参考测量电容的高度小于主测量电容，如被测介质没有浸泡到参考测量电容则可以通过检测参考电容的容值变化来计算出气体部分介电常数变化所并对产品的测量值进行修正；如参考电容完全浸泡在被测介质中，则可以通过检测参考测量电容的容值变化来计算出被测介质的介电常数的变化量并对产品的测量值进行修正。通过引入参考电容来消除因被测介质介电常数变化而带来的测量误差，提高测量的精度。解决了电容液位变送器出厂时所使用的标定介质与实际测量的介质必须为同一介质，否则必须进行现场标定的问题。