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操作MRAM半导体存储器排列的方法

发明专利无效专利

申请号：CN02808063.7
申请人：因芬尼昂技术股份公司
申请日：2002-04-05
主分类号：G11C11/15
公开（公告）日：2004-06-09
公开/公告号：CN1503976

申请同类专利

摘要：一种操作具多个TMR存储单元的MRAM半导体存储器排列的方法，信息被储存于该TMR存储单元的软磁层，其中该软磁层(13)的磁化方向与该硬磁层(11)的磁化方向平行或反平行；在读取期间，在该读取线路(BL)的电流信号被初始地检测而无外部施加的磁场；利用通过该未电连接的写入线路(WL1、WL2)的电流脉冲，该软磁层(13)的磁化相对于其简易磁轴被可逆地旋转；被改变做为在该读取线路(BL)的结果的该电流信号与该初始检测的电流信号比较；及由此比较决定所储存信息，其中在电流脉冲通过该写入线路的结束后，该软磁层(13)的该可逆地旋转回复到对应于该储存信息的原先方向。

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