带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关

专利类型:
发明专利(2)
专利有效性:
有效专利(2)
法律状态:
高级筛选:

路标网共为您找到相关结果2

公开(公告)时间
申请时间

带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关

发明专利有效专利
  • 申请号:CN200910206033.0
  • 申请人:万国半导体有限公司
  • 申请日:2009-10-09
  • 主分类号:H02H9/02
  • 公开(公告)日:2010-06-09
  • 公开/公告号:CN101728822A
委托购买

摘要:提出了一种桥接电源Vss和负载,带有由VRdt-产生器动态生成的参考电压VRdt的限流负载开关。它包括:互相连接在分裂电流结构上的一对功率场效应管和感应场效应管。此场效应管对产生负载电压,并把负载电流Iload限制在预置的最大值Imax以下。场效应管FET对使得它们各自的电流Ipower和Is保持电流比RATIOI=Is/Ipower<<1,感应场效应管高端端子通过一个感应电阻器Rsense与Vss耦合,在电阻器两端产生感应电压Vs=Is×Rsense。限流放大器的输入端与VRdt和Vs相连,输出端控制场效应管对关闭限流反馈回路。VRdt-产生器在动态调节VRdt的同时,补偿由于感应场效应管的运行转换使RATIOI发生改变所带来的不良影响,因此避免了Iload过度转换而超过Imax的情况。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献

带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关

发明专利有效专利
  • 申请号:CN201310597591.0
  • 申请人:万国半导体有限公司
  • 申请日:2009-10-09
  • 主分类号:H03K17/16
  • 公开(公告)日:2014-05-28
  • 公开/公告号:CN103825592A
委托购买

摘要:提出了一种桥接电源Vss和负载,带有由VRdt-产生器动态生成的参考电压VRdt的限流负载开关。它包括:互相连接在分裂电流结构上的一对功率场效应管和感应场效应管。此场效应管对产生负载电压,并把负载电流Iload限制在预置的最大值Imax以下。场效应管FET对使得它们各自的电流Ipower和Is保持电流比RATIOI=Is/Ipower<<1,感应场效应管高端端子通过一个感应电阻器Rsense与Vss耦合,在电阻器两端产生感应电压Vs=Is×Rsense。限流放大器的输入端与VRdt和Vs相连,输出端控制场效应管对关闭限流反馈回路。VRdt-产生器在动态调节VRdt的同时,补偿由于感应场效应管的运行转换使RATIOI发生改变所带来的不良影响,因此避免了Iload过度转换而超过Imax的情况。

著录信息权利要求说明书PDF全文法律状态引证文献
  • 1
前往
没找到想要的结果?为您推荐专业专利顾问检索  带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关 专利,更快更准确
免费
我想查:已帮助11121012位用户进行查询

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供