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定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法

发明专利无效专利

申请号：CN201010108450.4
申请人：哈尔滨工业大学
申请日：2010-02-10
主分类号：G01N21/47
公开（公告）日：2010-07-28
公开/公告号：CN101788474A

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摘要：定量测试光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值的方法，涉及光折变材料的参数测试领域，解决了尚无可行方案对光折变材料的光致光散射曝光能量密度阈值进行定量测试的问题。该方法的过程为：偏振入射光经衰减后垂直入射至光折变晶体表面，入射光偏振方向平行于光折变晶体c轴，利用功率计接收透射光；保持入射光光功率密度不变，每隔固定时间记录功率计接收的光功率，然后获得透射光光功率密度随时间的变化曲线，进而获得散射光光功率密度随时间的变化曲线及散射比的平方根随时间的变化曲线；利用对散射比的平方根随时间的变化曲线进行拟合，获得散射时间常数τ，再根据公式S＝τ×Iin计算并获得所述曝光能量密度阈值。本发明可用于光信息体全息存储领域。

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