外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔
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外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔
发明专利有效专利- 申请号：CN201210484714.5
- 申请人：清华大学
- 申请日：2012-11-23
- 主分类号：H01L21/205
- 公开（公告）日：2013-02-20
- 公开/公告号：CN102938369A
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摘要：本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。
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