声学超晶格材料的制备和超高频声学器件
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声学超晶格材料的制备和超高频声学器件
发明专利无效专利- 申请号：CN93109510.7
- 申请人：南京大学
- 申请日：1993-08-07
- 主分类号：暂无
- 公开（公告）日：1995-02-15
- 公开/公告号：CN1098823
申请同类专利
摘要：本发明属新材料和新技术领域，在衬底材料上生长压电材料，选择压电材料(包括LiNbO3、LiTaO3、PbTiO3、BaTiO3、Li3BO7、SiO2、ZnO、PZT、TeO2、Bi12GeO20、Bi3TiO4等)和非压电介电材料(包括MgO、TiO2、SrTiO3、Al2O3等)，利用MOCVD方法生长出两两组合的声学超晶格材料，亦可以压电材料中任意两种材料生长，其周期宽度0.1～3μm，周期数10～100。
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