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基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列

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申请号：CN202110137113.6
申请人：大连理工大学
申请日：2021-02-01
主分类号：G21B1/23
公开（公告）日：2021-06-18
公开/公告号：CN112992387A

委托购买

摘要：本发明属于磁约束受控核聚变等离子体诊断领域，涉及一种基于时延法测量二维电子密度剖面的太赫兹微波干涉阵列，是测量磁约束等离子体电子密度的重要技术方法。本发明主要包括晶体振荡器，六公分器，点频源，太赫兹倍频器，由二公分器、可编程微波开关、混频器、放大器、检波器和中央处理器组成的集成单元，微波波导，太赫兹相控阵天线和中央处理器。本发明的阵列可以通过在磁约束聚变装置中布置多个可灵活调节发射角度的太赫兹相控阵天线和可编程微波开关实现多个空间位置的分时测量，然后利用快速数值反演算法获取二维测量电子密度剖面，采用的时延方法特别合适用于未来大型磁约束聚变装置。

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