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基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法

发明专利无效专利

申请号：CN201210038591.2
申请人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日：2012-02-21
主分类号：H01L31/18
公开（公告）日：2013-08-21
公开/公告号：CN103258901A

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摘要：本发明涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池片的衬底，进行以下步骤，对硅片衬底清洗制绒；以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；对硅片衬底进行二次清洗；在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构；在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；丝网印刷背面电极；经烧结，形成硅电池板。本发明的优点：加工工艺简单快速，成本低廉，易于兼容现有工艺的电池技术，并具有极佳的钝化效果，大大提升光电转换率，提高电池使用性能。

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