发光或者受光用半导体器件及其制造方法
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发光或者受光用半导体器件及其制造方法
发明专利无效专利- 申请号：CN00812460.4
- 申请人：中田仗祐
- 申请日：2000-10-20
- 主分类号：暂无
- 公开（公告）日：2002-10-09
- 公开/公告号：CN1373907
申请同类专利
摘要：具有受光功能的半导体器件(10)例如具备由p型的硅单结晶形成的半导体元件(1)、第1，第2平坦面(2，7)、n型扩散层(3)及其pn结(4)、再结晶层(8)、防反射膜(6a)、负电极(9a)以及正电极(9b)等。替代该半导体元件(1)也能够采用圆柱状的半导体元件。
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