发光二极管用外延片和发光二极管
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发光二极管用外延片和发光二极管
发明专利无效专利- 申请号：CN200610101877.5
- 申请人：日立电线株式会社
- 申请日：2006-07-12
- 主分类号：H01L33/00
- 公开（公告）日：2007-04-04
- 公开/公告号：CN1941435
申请同类专利
摘要：本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片，在n型GaAs衬底(2)上，通过MOVPE法依次成长n型AlGaInP包覆层(3)、AlGaInP活性层(4)和p型AlGaInP包覆层(5)，在p型AlGaInP包覆层(5)上，通过MOVPE成长以Mg为掺杂剂的p型GaP电流扩散层(6)，通过使p型GaP电流扩散层(6)的表面粗糙化，从而提高了光取出效率。
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