摘要：本发明涉及一种微纳米级晶片测试探头及制备方法，其中方法包括：使用主离子源轰击金属靶材在工件的衬底表面上形成金属层，所述金属层包括位于测试区内的测试圆点、位于引线区内的引出焊盘以及两者之间的连接线；使用主离子源轰击绝缘靶材在工件的测试圆点之外的区域上形成绝缘保护膜；使用主离子源轰击金属靶材在工件的测试圆点所在区域上形成测试圆柱；使用辅离子源轰击工件进行抛光打磨，打磨所述测试圆柱的平面圆周边沿倒角形成球面后，制成平面结构的微纳米级晶片测试探头。本发明制备出的探头测试间距为0.5～20μm，既可以检测普通晶片的四周引脚，又可以测试薄膜晶片表面的凸点，满足了微纳米级晶片测试的需求。

摘要：本发明提供了一种氮离子源的离子束反应溅射沉积设备，以及使用该设备的基于氮离子源的氮化铝薄膜制备方法和氮化铝薄膜。其中设备包括氮离子源、工件台和靶台，所述氮离子源用于通入氮气并生成氮离子束，所述靶台用于固定铝靶材且位于氮离子束的发射方向上，所述工件台用于固定衬底且位于靶台的溅射粒子沉积方向上，所述氮离子束轰击铝靶材产生的溅射粒子沉积在衬底上形成氮化铝薄膜；所述工件台上设置有可开关的挡板，用于在关闭时遮挡衬底以防止溅射粒子沉积。本发明直接以氮气作为工作和反应气体，可以避免使用氩气等惰性气体，降低了工艺成本；并且通过离子束反应溅射技术制出的氮化铝薄膜均匀度好，表面光滑，应力小，光学性质更加重复稳定。

摘要：本发明公开了一种高温超导薄膜制备方法，包括：制备含有Y、Ba和Cu的三种超导靶材，并分别固定在可旋转的三靶靶台上；将金属氧化物衬底固定在可加热的工件台上；先用机械泵粗抽真空，然后用分子泵精抽真空，使真空仓的真空度达到并始终保持在6.7×10‑5Pa；将Kr+等离子体经引出、成束、加速、中和形成高能高速Kr+离子束，同时通过步进电机驱动所述靶台以周期性地转换所述三种超导靶材，使得所述Kr+离子束对所述三种超导靶材分别轰击不同时长，由所述三种超导靶材溅射出来的原子向固定在所述工件台上金属氧化物衬底依次沉积形成不同厚度的多层金属氧化物薄膜；将形成的多层金属氧化物薄膜进行热处理，使得层间热扩散及氧化，形成最终的高温超导薄膜。

摘要：本发明公开了一种在工件上制造微纳米级防伪图文商标的方法，包括：把工件固定在旋转工件台上，表面完整涂上光刻胶；敷上掩模板，该掩模板上带有要形成的防伪图文商标的图案；透过掩模板对光刻胶进行紫外线照射；对光刻胶进行显影和曝光；清洗光刻胶后光刻胶上留下了要形成的防伪图文商标的图案；将工件台装入真空仓，抽取真空；产生等离子体；等离子体经引出、成束、加速、中和形成离子束；利用所述离子束轰击工件，则工件上暴露的部分溅射出金属原子从而形成防伪图文商标，所述离子束的能量为200～1000eV，溅射时间为5分钟至30分钟；将工件取出并清洗光刻胶。本发明公开的方法能够制造微纳米级防伪图文商标。

摘要：本发明涉及一种离子源的电源系统及离子源，所述离子源包括：主阴极、弧板阳极、屏栅、加速栅和中和器；所述电源系统包括：阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源；以及检测单元，与所述阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源连接，用于测量各个电源的电压或电流信号反馈值；电源控制器，用于根据所述检测单元测得的电压或电流信号反馈值，控制各个电源的电压或电流信号等于或接近设定值。本发明根据反馈的各路电源电压或电流信号，对各路电源进行自动调节，克服了现有离子源各路电源独立工作、手动调整的缺陷，能够使离子束自动调谐至最佳传送状态，从而保证离子源系统稳定、可靠、高效运行。

摘要：本发明涉及一种栅网，用于离子源的离子光学系统，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。本发明还提供了使用该栅网的离子源。本发明通过在栅网上开设辐射状的热应变槽，彻底地解决耐熔金属平面栅网的热变形问题，还能保持离子束束流的均匀度和稳定度，满足长期和反复高温环境离子源工作，提高离子源性能的重复性和离子束加工的工艺均匀性。

摘要：本发明涉及一种基于离子束刻蚀的打标方法及应用，所述打标方法包括如下步骤：在基片表面涂覆一层光刻胶层；借助图形化的掩膜版，利用紫外光对光刻胶层进行曝光；去除图形化的掩膜版，得到图形化的光刻胶层；借助图形化的光刻胶层，使用离子源发射的离子束对基片的待标记处进行刻蚀；剥离图形化的光刻胶层，得到图形化的基片，实现对基片的标记。本发明通过离子束刻蚀的方法对产品进行打标，刻蚀出的标记线条侧壁几乎是垂直的，不会产生过度的线条展宽，使得最终获得的标记线条精度可达到几十纳米级，远高于激光打标机几十微米级的线条精度，从而能够明显提高打标的精度。

摘要：本发明涉及一种高端微型薄膜电容器及制备方法，其中制备方法包括以下步骤：提供衬底；通过离子束溅射沉积工艺在衬底上沉积绝缘打底膜；在所述绝缘打底膜上制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，通过离子束溅射沉积工艺在所述绝缘打底膜上沉积金属薄膜；去除图形化的光刻胶，通过离子束溅射沉积工艺在所述金属薄膜上沉积保护膜，得到高端微型薄膜电容器。本发明采用离子束溅射沉积工艺制作高端微型薄膜电容器，加工精度高，尤其可加工出金属手指宽度和指间间距宽度为1:1比值的叉指电容器，克服了现有叉指电容器加工中出现的手指之间剥离残留形成的短路，并且提高了叉指电容器的容量。

摘要：本实用新型涉及一种高端微型薄膜电容器，包括依次设置的衬底、绝缘打底膜、金属薄膜和保护膜，所述金属薄膜包括在同一平面上形成的第一部分金属薄膜和第二部分金属薄膜，所述第一部分金属薄膜包括第一电极、从第一电极引出的第一汇流条、沿横向从第一汇流条朝第二汇流条延伸的多个第一臂，以及第一臂上沿纵向朝一侧或者两侧伸出的多个第一金属手指；所述第二部分金属薄膜包括第二电极、从第二电极引出的第二汇流条、沿横向从第二汇流条朝第一汇流条延伸的多个第二臂，以及第二臂上沿纵向朝一侧或者两侧伸出并与第一金属手指横向间隔开的多个第二金属手指。本实用新型通过对金属薄膜图形的设计，控制电容体积的同时提高了电容容量。

摘要：本发明涉及一种氮化物半导体薄膜及制备方法，该氮化物半导体薄膜通过双离子源分别轰击靶材和衬底来制备，其中：在主离子源中充入氩气，产生氩离子束轰击金属靶材，溅射出的金属原子沉积在衬底上；在辅离子源中充入氨气或者氮气，产生氮离子束轰击衬底表面，其中氮离子与沉积在衬底表面的金属原子结合，形成氮化物半导体薄膜。本发明以氩气作为工作气体，通过主离子源生成氩离子束轰击靶材，以氨气或者氮气作为反应气体，通过辅离子源生成的氮离子通过化学反应生成氮化物，并以浅层注入方式直接给衬底表面补充氮离子，能够有效地提高氮化物半导体薄膜中氮元素的含量，且制得的薄膜厚度均匀、精度高。

摘要：本发明公开了一种亚纳米级离子束抛光设备和抛光方法。该抛光设备包括气体电离装置、离子光学系统、中和装置和抛光装置，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统和中和装置用于对所述等离子体进行引出、成束、加速、中和而获得高能高速的中性离子束，采用所述中性离子束对所述抛光装置上的工件进行抛光，其中，所述气体电离装置包括气孔、阴极钨丝、弧形阳极板和电磁线圈，所述离子光学系统和中和装置包括多孔屏栅、加速栅和浸没式中和阴极，所述抛光装置包括旋转且轴向角度可调的抛光台和设置于其上的工件夹具。

摘要：本发明涉及一种离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器用于向离子束发射电子生成中性离子束；所述离子源还包括检测系统和控制系统，其中检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，控制系统用于根据等离子体电位径向分布调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。本发明可以在离子源采用不同的离子束参数时，根据等离子体电位径向分布来动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。

摘要：本发明公开了一种痕量分析方法及其前处理方法，包括：将被检物固定在旋转工件台上；抽取真空直到真空度高于6×10‑3Pa；利用电磁线圈产生高频高压，利用阴极钨丝产生辉光放电，通入惰性气体在高频高压下电离分解产生第一等离子体；通过引出、成束、加速、中和将第一等离子体形成为第一离子束，即低能清洗离子束，其中，使用多孔屏栅将第一等离子体引出、成束形成为第一离子束，使用加速栅对第一离子束加速，使用浸没式中和阴极发射电子对第一离子束进行中和形成中性离子束；采用第一离子束轰击工件台上的被检物，第一离子束的能量为200～600eV，轰击时间为30～300s。本发明还公开了一种采用上述前处理方法的痕量分析方法。

摘要：本发明涉及一种多元素合金薄膜电阻及制备方法和多元素靶材，其中制备方法包括以下步骤：制备含有镍、铬、锰和硅的多元素靶材，并固定在靶台上；将已制备光刻胶的基材固定在旋转工件台上；抽真空使真空度不大于5×10‑4Pa；将工作压强为2.0×10‑2Pa的氩气充入离子源，经辉光放电产生等离子体，经引出、成束、加速、中和形成氩离子束轰击靶台上的多元素靶材，溅射粒子沉积在基材表面形成多元素合金薄膜；去除剩余的光刻胶，得到多元素合金薄膜电阻。本发明采用含有镍、铬、锰和硅的多元素靶材，通过离子束溅射沉积工艺制得的薄膜电阻阻值可达200～700KΩ，同时使得电阻温度系数降至5ppm，并降低了薄膜电阻的生产成本。

摘要：本发明公开了一种薄膜电容器及其制造方法。该薄膜电容器包括：半导体衬底；第一金属层，其位于所述半导体衬底上；电介质层，其位于所述第一金属层上；以及第二金属层，其位于所述电介质层上，与所述第一金属层一起将所述电介质层夹在中间构成“三明治”结构。本发明采用聚四氟乙烯(Teflon)作为两层铝薄膜电极之间的电介质层，因此更适合溅射沉积，并且在室温下即可沉积，且具有沉积速率较高的优点。

摘要：1、本外观设计产品的名称：离子束加工设备外壳。2、本外观设计产品的用途：作为离子束刻蚀机或者离子束镀膜机等离子加工设备的外壳，用于保护、装饰离子束刻蚀机或者离子束镀膜机等离子加工设备。3、本外观设计的设计要点：在于产品的形状。4、指定一幅最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5、本外观设计的仰视图不常见，故省略仰视图。

摘要：本发明公开了一种电阻器制造方法，包括：提供金属箔片；对所述金属箔片进行减薄；在所述金属箔片上制备光刻胶，对所述金属箔片进行刻蚀，在所述金属箔片上形成所述预定图案；以及对残留的光刻胶进行清洗，并制备完成所述电阻器。该方法能够提高电阻器的电阻以及温度系数和高温低温双向稳定性，增加了与绝缘基体的附着力，避免了由于内应力过大而导致与绝缘基体脱落，扩大了电阻应变计的应用范围。

摘要：本实用新型涉及一种栅网，用于离子源的离子光学系统，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。本实用新型还提供了使用该栅网的离子源。本实用新型通过在栅网上开设辐射状的热应变槽，彻底地解决耐熔金属平面栅网的热变形问题，还能保持离子束束流的均匀度和稳定度，满足长期和反复高温环境离子源工作，提高离子源性能的重复性和离子束加工的工艺均匀性。

摘要：本发明公开了一种在柔性基底薄膜上制备功能性图形薄膜的方法，包括：把柔性基底薄膜固定在真空仓中的旋转工件台上；在所述柔性基底薄膜上制备包含功能性图形薄膜形状的光刻胶；将金属靶材固定在真空仓中的靶台上；抽取真空；将由离子源产生的等离子体经引出、成束、加速、中和形成中性离子束；采用中性离子束轰击金属靶材，从金属靶材溅射出来的金属原子向柔性基底薄膜沉积从而在所述柔性基底薄膜暴露的部分上形成功能性图形薄膜，所述离子束的能量为200～1000eV，轰击时间为60～480s；打开真空仓，取出柔性基底薄膜。本发明的方法能够实现低温环境下在柔性基底薄膜上制备密度高、附着力强的纳米级甚至亚纳米级的功能性图形薄膜。

摘要：本发明涉及一种大束径离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和中和装置，其中气体电离装置用于产生等离子体，离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，中和装置用于向离子束发射电子生成中性离子束；该大束径离子源的发射口径为100～200mm；所述离子光学系统包括在同一中心线上轴向间隔设置的屏栅和加速栅，该屏栅中部设有带栅孔的栅孔区，栅孔区的栅孔孔径沿径向方向从栅孔区圆心向外逐渐增大。本发明的大束径离子源，通过设计变孔径屏栅，使屏栅孔径与屏栅抽取的等离子浓度分布相匹配，进而通过不同的孔径抽取相同的束流密度，达到改善束流均匀度的目的，可产生束流宽、方向性强的离子束，且有效束径及均匀度大，束流稳定性强。