摘要：本实用新型提供了一种腔室密封结构，包括门阀，所述门阀包括本体、阀板和密封圈，所述本体内形成有通道，所述阀板可在所述本体内升降，用于打开和关闭所述通道，所述密封圈设置在所述阀板与所述本体相接触的位置处，在腔室和所述门阀之间还设置有隔离环，用于隔离所述腔室产生的副产物和所述门阀的密封面。本实用新型提供的腔室密封结构及半导体加工设备，能够解决副产物在门阀的密封面处形成固态颗粒而最终导致门阀的密封圈磨损破坏而导致工艺腔真空漏气问题。

摘要：本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。

摘要：本实用新型提供一种升降机构及半导体加工设备，其包括波纹管轴、驱动源和连接组件，该驱动源通过连接组件驱动波纹管轴作升降运动，连接组件包括连接件和固定销，其中，连接件的下端与驱动源连接；连接件的上端具有第一配合部，波纹管轴的下端具有第二配合部，第一配合部和第二配合部相互嵌套；固定销贯穿第一配合部和第二配合部，以将二者固定连接。本实用新型提供的升降运动，其可以避免波纹管轴发生窜动，而且取代了螺母，从而无需定期进行螺母锁紧，从而提高了生产效率。

摘要：本实用新型提供一种升降机构及半导体加工设备，包括驱动源、升降轴和连接组件，驱动源通过连接组件与升降轴连接，该连接组件包括：连接件，用于采用夹持的方式固定升降轴。卡紧衬套，设置在连接件与升降轴之间，用以限定升降轴的位置。并且，在卡紧衬套与连接件之间具有环形间隙。防震环，其为弹性件，且环绕设置在环形间隙中。本实用新型提供的升降机构，其可以缓冲自身受到的震动干扰，从而可以降低晶片产生位置偏移的风险，进而可以提高设备的稳定性。

摘要：本实用新型提供一种承载装置、反应腔室和半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有的承载装置，在压环向盖板施加压力时，会导致盖板发生轻微变形，影响刻蚀工艺结果的问题。本实用新型的承载装置，包括：托盘、盖板和压环，所述托盘包括晶片承载区域和环绕所述晶片承载区域的固定区域，其中，所述晶片承载区域与所述盖板对应设置，所述盖板与所述晶片承载区域能够共同夹持晶片；所述固定区域与所述压环对应设置，所述压环与所述固定区域能够接触以固定所述托盘；且当所述压环与所述固定区域接触以固定所述托盘时，所述压环与所述固定区域进行直接接触。

摘要：本实用新型提供的冷却装置及半导体加工设备，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔和多层隔板，其中多层隔板设置在冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使晶片与隔板不相接触。本实用新型提供的冷却装置，其可以将相邻的两个晶片相隔离，从而可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。

摘要：本实用新型提供的卡盘的吊装机构，卡盘用于承载晶片，且在该卡盘上设置有安装孔，用以安装吊装机构。吊装机构包括：吊杆，在吊杆的下端设置有限位部，该限位部与安装孔相配合，用以限制吊杆在竖直方向上的位移自由度。固定组件用于使所述限位部相对于所述卡盘固定不动。

摘要：本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备。在物理气相沉积腔室中设置加热模块，该加热模块包括加热灯管，所述加热灯管经配置分布以构成加热区域，且所述加热区域于一投影方向上的投影覆盖所述基板的所述表面；所述加热灯管包括加热段以及非加热段，所述加热段对应所述加热区域，且所述加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能够满足高温物理气相沉积工艺对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。

摘要：本实用新型提供一种反应腔室及半导体加工设备。该反应腔室包括石英窗、支架，加热环以及腔室内衬，其中，支架用于支撑石英窗，加热环设置于支架与腔室内衬之间，还包括：加热环固定件，用于将加热环固定于支架底部，以使加热环与所述支架贴合，且在腔室开盖时随支架一起被抬起。本实用新型所提供的反应腔室，在腔室进行维护时，打开腔室的盖，加热环会随支架一起被抬起，在维护人员对腔室进行维护作业时，不会碰到加热环，避免了加热环过热对维护人员造成的伤害，而且维护人员只需要在腔室内衬冷却到正常温度后便可以进行维护作业，大大节省了等待时间，提高了生产效率。

摘要：本实用新型提供一种驱动装置、磁控设备和磁控溅射系统。该驱动装置用于驱动磁控管转动，包括：动力带动机构和齿轮箱机构，动力带动机构包括动力源和轴，动力源连接轴，且动力源用于带动轴转动；齿轮箱机构连接动力带动机构，且齿轮箱机构能在轴的带动下转动，齿轮箱机构包括动密封件，动力带动机构包括密封保护件，密封保护件与动密封件相对应设置，用于在齿轮箱机构绕轴转动时对齿轮箱机构内部形成密封。该驱动装置通过设置密封保护件，能在齿轮箱机构在轴的带动下转动时，使齿轮箱机构外部的介质无法进入到齿轮箱机构内部，从而在齿轮箱机构绕轴转动时能够确保对齿轮箱机构内部形成很好的密封。

摘要：本发明公开了一种硬件设备控制方法及装置，涉及半导体软件技术领域，主要目的通过硬件设备器件的属性信息实现对硬件设备的控制，避免了由于硬件设备器件的布局或者器件的改变导致重新编码的问题。本发明的主要技术方案为：获取硬件设备的配置文件，所述配置文件中包含组成所述硬件设备的所有器件的属性信息；对所述配置文件进行解析，获取所有器件的属性信息；根据所述属性信息生成对应的类型对象；根据所述类型对象对所述器件进行控制。本发明主要用于通过软件实现硬件设备器件统一控制的过程中。

摘要：本发明公开了一种控制协议的实现方法及装置,涉及硬件设备软件控制技术领域,能够解决现有技术中硬件设备控制操作对应控制协议只能作为源代码编写到系统程序中，导致修改和维护都不方便的问题。本发明主要技术方案为：获取所述控制操作对应控制协议的配置文件，所述配置文件是按照系统配置文件格式创建的文件，包括控制协议的属性信息和数据信息；对所述配置文件进行解析获取所述属性信息和数据信息；根据所述属性信息和数据信息创建控制协议对象；调用所述控制协议对象实现对所述硬件设备的控制操作。本发明主要用于硬件设备控制操作的运行过程中。

摘要：本发明公开了一种判断晶片是否正常升起的方法及其装置，涉及半导体工艺技术领域，能够判断晶片是否正常升起，若晶片升起异常，停止后续的机械手取片，并对未正常升起的晶片进行调整，以减少机械手撞击晶片而造成晶片损坏等机械手取片失败的几率。该判断晶片是否正常升起的方法，包括：当支撑所述晶片的多个顶针升起后，测量所述多个顶针中任意两个顶针之间的电阻值，且对应每个顶针至少测量一个所述电阻值，判断所述电阻值中是否存在符合预设异常条件的电阻值，若存在，则确认所述晶片未正常升起。本发明主要用于半导体工艺结束后的晶片取片过程中。

摘要：本发明公开了一种防止晶圆粘片的方法及装置，涉及半导体制造领域，为解决手动添加去粘连子配方的问题而发明。本发明的方法包括获取编辑后的父配方，该父配方由不同工艺的子配方以及晶圆路径组成；检测父配方中是否添加有用于执行去粘连处理的目标子配方；若父配方中未添加目标子配方，则从后台函数库中调取预编辑的目标子配方；将调取的目标子配方自动添加到父配方中的预设位置上，获得改进型父配方。本发明主要应用于半导体刻蚀工艺中。

摘要：本发明公开了一种文件管理的方法及装置，涉及半导体制造领域，为解决文件查找繁琐不便的问题而发明。本发明的方法包括：对已有的对象文件进行分类；按照类别从属关系将对象文件记录在配置文件中；读取并执行配置文件，在窗口页面中按照目录树结构显示对象文件的文件名，目录树结构包括至少两个文件层级。本发明主要应用于晶圆刻蚀工艺的编辑过程中。

摘要：本发明公开了一种反应腔室的清洗方法，涉及半导体技术领域，能够有效清除反应腔室中的副产物。该反应腔室的清洗方法采用清洗气体在射频电源作用下起辉以实现清除沉积在反应腔室内壁上的副产物，该反应腔室的清洗方法包括对所述反应腔室内壁的不同区域进行清洗的至少两个主清洗步骤。

摘要：本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。

摘要：本发明提供了一种用于实现阻抗匹配和功率分配的装置及半导体加工设备。该装置包括一个输入端、至少两个输出端、功率分配电路和阻抗匹配电路，所述输入端用于与射频电源电连接；每个输出端包括用于与外接器件的两端相连的第一端口和第二端口，第二端口为接地端；所述功率分配电路包括与所述输出端一一对应的支路，所述支路的一端作为与之对应的所述输出端的第一端口，支路的另一端与阻抗匹配电路相连，阻抗匹配电路还与输入端相连；每条所述支路上串接有功率分配单元，所述功率分配单元仅包括一个第一可调电容。本发明提供的装置及半导体加工设备，不仅成本低，而且集成度高，体积减少。

摘要：本发明公开了一种基座和反应腔室，该基座包括贯穿其的通孔，及设置在所述通孔内的顶针，所述顶针和所述基座可以在竖直方向上相对移动，以使所述顶针的顶端伸出所述通孔，或位于所述通孔内，所述通孔内设置有第一绝缘件，用于使所述顶针与所述基座绝缘。本发明中的基座的第一绝缘件设置于基座的通孔内，第一绝缘件用于使所述顶针与所述基座绝缘，从而避免了顶针与基座之间的打火现象。

摘要：本发明公开了一种反应腔室，包括用于承载晶片的基座，用于将晶片固定在基座上的压环，用于包围至少部分腔室壁的上屏蔽件和下屏蔽件；基座可升降，当基座下降至低位时，压环与下屏蔽件接触，当基座上升至高位时，将压环从下屏蔽件上顶起，以使压环与晶片的外缘接触；反应腔室还包括绝缘件，绝缘件位于压环与下屏蔽件之间，以使下屏蔽件与压环绝缘。本发明中的反应腔室的绝缘件位于压环与下屏蔽件之间，以使下屏蔽件与压环绝缘，从而避免了压环与晶片接触时出现打火现象；在射频电压较大的工艺条件下，即使压环与下屏蔽件距离近，也不会在压环和晶片之间出现打火现象。