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制造悬浮多孔硅微结构的方法及其在气体传感器中的应用

发明专利无效专利

申请号：CN02815212.3
申请人：“德默克里托斯”国家科学研究中心;克里斯托斯·泰阿密斯;阿多拉·G·那斯阿普罗;阿吉里柯·托斯瑞比
申请日：2002-02-18
主分类号：暂无
公开（公告）日：2004-10-20
公开/公告号：CN1538934

申请同类专利

摘要：本发明提供一种用于制造桥形或悬臂形悬浮多孔硅薄膜的正面硅显微机械加工方法及使用这种些薄膜的热传感器设备。悬浮多孔硅薄膜的制造方法包括如下步骤：(a)在一硅基底(1)的至少一个预定区域内形成一多孔硅层(2)，(b)使用标准影印石版技术围绕所述多孔硅区域(2)或在所述多孔硅区域(2)内界定蚀刻窗口(5)，(c)在多孔硅层下(2)，通过使用干蚀刻技术选择性地蚀刻硅基底(1)，以分离多孔硅薄膜，并在所述多孔硅层下形成洞(6)。更进一步地，本发明还提供一种基于具有最小热损失的悬浮多孔硅薄膜，制造热传感器的方法，因为所提出的方法结合了由于多孔硅的低热传导性和悬浮薄膜的使用而带来的优点。而且，本发明所提出的正面显微机械加工方法简化了制造工艺。还描述了使用所提出的方法的多种类型的热传感器设备，如量热型气体传感器，导电型气体传感器和热传导传感器。

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